Eilen kerroimme, että ADATA oli aloittanut DDR5-määrityksiä tukevien DRAM-moduulien tuotannon. Myös Samsung on aloittanut muistien volyymituotannon. Prosessi on 14 nanometriä ja transistorikuviot valotetaan EUV-laitteistolla. Muistin nopeus kasvaa yli kaksinkertaiseksi.
14 nanometrin on hyvin edistynyt DRAM-prosessi. DRAM-piireissä valmistusprosessi ei ole kehittynyt yhtä nopeasti kuin logiikkapiireissä, joissa tänä vuonna on siirrytty jo 5 nanometrin viivanleveyteen.
Kun DRAM-piirien tuotannossa lähestytään 10 nanometrin rajaa, EUV-tekniikoista tulee yhä tärkeämpiä, jotta kuvioinnit saadaan riittävän tarkoiksi. Samsungin mukaan tämä on tärkeää sekä suorituskyvyn että saannon kannalta.
14 nanometrin DDR5-piirinsä Samsung valmistaa valottamalla kuviot EUV-tekniikalla eli 13 nanometrin laserilla viisi kertaa. Viidellä kerroksella päästään parhaimpaan bittitiheyteen ja samalla tuottavuus paranee noin viidenneksen. Lisäksi 14 nanometrin DRM-piiri kuluttaa energiaa lähes 20 prosenttia vähemmän kuin Samsungin aiempi DRAM-prosessi.
Samsungin mukaan uusi prosessi ja DDR5-määritykset mahdollistavat sen, että muisteilta voidaan siirtää dataa prosessorilla 7,2 gigabitin sekuntinopeudella. Tämä on yli kaksi kertaa nopeammin kuin DDR4-muistien 3,2 gigabittiä sekunnissa.
Samsung aikoo laajentaa DDR5-valikoimaansa datakeskuksiin, yrityspalvelimiin ja supertietokoneisiin. Lisäksi 14 nanometrin piirien tiheys nostetaan nopeasti 24 gigabittiin.
Virtaamamittaus on monissa laitteissa kriittinen mutta usein ongelmallinen toiminto. Perinteiset mekaaniset anturit kuluvat ja jäävät sokeiksi pienille virtausnopeuksille. Ultraäänitekniikkaan perustuvat valmiit moduulit tarjoavat nyt tarkan, huoltovapaan ja helposti integroitavan vaihtoehdon niin kuluttaja- kuin teollisuussovelluksiin.