Galliumnitridi eli GaN on laajan kaistaeron materiaali, joka mahdollistaa tehokkaammat, pienemmät ja nopeimmat laturit. Alueen pioneeri Navitas kertoo nyt toimittaneensa markkinoille 50 miljoonaa GaN-piiriä. Yhtään raportoitua vikaa kentällä olevista latureista ei ole löytynyt, yhtiö hehkuttaa.
Merkkipaalun kunniaksi Navitas luovutti GaN-kiekon kännykkävalmistaja Vivolle. Se on ollut yksi tekniikan laajamittaiseen käyttöön ottaneita valmistajia. Tammi-huhtikuussa 2022 Vivo ja Navitas yhdistivät visionsa nopeasta ja erittäin nopeasta latauksesta uusissa tuotteissaan.
Vivon uutuuksien laturit perustuvat Navitasin GaNFast- ja GaNSense-piireihin. GaNSense-teknologian avulla Vivo lanseerasi ensin 120 W:n ultranopean laturin, joka mahdollistaa kännykkäakun lataamisen 100 prosenttiin vain 19 minuutissa.
Sitten toimitettiin uraauurtava 80 watin dual-USB-C-laturi Vivon ensimmäiseen 8 tuuman taittuvalla näytöllä varustettuun puhelimeen ja se tukee kahden laitteen samanaikaista pikalatausta. Tämän laturin tehotiheys on 1 W/nelisentti.
Navitaksen perustaja Gene Sheridanin mukaan 50 miljoonaa toimitettua GaN-piiriä osoittaa, että tekniikan odotuksissa on siirrytty "milloin ja jos" -vaiheesta vaiheeseen nyt! - Vivon henki näkyy asiakkaissamme suuritehoisilla markkinoillamme, mukaan lukien datakeskus-, aurinko- ja sähkökäyttöiset sovellukset. Jokainen GaN-piiri säästää neljä kiloa CO2-päästöjä. GaN-tekniikka voisi säästää jopa 2,6 gigatonnia CO2-päästöjä vuodessa vuoteen 2050 mennessä, Sheridan hehkuttaa.
Virtaamamittaus on monissa laitteissa kriittinen mutta usein ongelmallinen toiminto. Perinteiset mekaaniset anturit kuluvat ja jäävät sokeiksi pienille virtausnopeuksille. Ultraäänitekniikkaan perustuvat valmiit moduulit tarjoavat nyt tarkan, huoltovapaan ja helposti integroitavan vaihtoehdon niin kuluttaja- kuin teollisuussovelluksiin.