DRAM-muisti oli pitkään rajoittava tekijä tietokoneiden suorituskyvyssä. Uusien DDR5-muistien tullessa pian markkinoille tilanne helpottaa hieman, mutta vielä enemmän vauhtia keskusmuisteihin on tulossa tulevien DDR6- ja DDR7-tekniikoiden myötä.
JEDEC työstää jo molempia uusia DRAM-sukupolvia, mutta työ on alkuvaiheissaan. Tämän hetken tietojen mukaan – minkä valmistajatkin vahvistavat – DDR6 nostaa väylän nopeuden kaksi kertaa DDR5:sta nopeammaksi.
Tämä tarkoittaa 12 800 megasiirtoa (megatransfers) sekunnissa. Moduuleja ylikellottamalla voidaan päästä jopa 17 000 megasiirtoon sekunnissa. Samsung on jo arvioinut, että kannettavien tulevat LPDDR6-muistit voisivat kuluttaa 20 prosenttia vähemmän energiaa, vaikka ovatkin kaksi kertaa DDR5-muisteja nopeampia.
DDR6:n jälkeen vuorossa on luonnollisesti DDR7. Samsung on toistaiseksi puhunut vain grafiikkakorttien GDDR7-muisteista, joissa datansiirto kiihtyisi jopa 32 gigabittiin sekunnissa. Tämä olisi käytännössä 10 kertaa tämän hetken läppäreiden DDR4-muisteja nopeammin.
Samsung on myös vihjannut, että DDR7-muisteihin tuotaisiin reaaliaikainen virheenkorjaus, mutta tätä tekniikkaa yritys ei ole vielä julkisesti kuvaillut.
Virtaamamittaus on monissa laitteissa kriittinen mutta usein ongelmallinen toiminto. Perinteiset mekaaniset anturit kuluvat ja jäävät sokeiksi pienille virtausnopeuksille. Ultraäänitekniikkaan perustuvat valmiit moduulit tarjoavat nyt tarkan, huoltovapaan ja helposti integroitavan vaihtoehdon niin kuluttaja- kuin teollisuussovelluksiin.