Monissa sulautetuissa sovelluksissa olisi käyttöä muisteille, jotka säilyttävät datansa, mutta olisivat silti yhtä nopeita kuin SRAM. Avalanche Technologyn kolmannen sukupolven MRAM-muistit näyttävät vastaavaan näihin vaatimuksiin. Piirien valmistuksesta on nyt sovittu taiwanilaisen UMC:n kanssa 22 nanometrin prosessissa.
Käytännössä Avalanche Technology tuo markkinoille standardituotteita sovelluksiin, jotka vaativat suurta kestävyyttä, luotettavuutta ja tiheyttä, mutta ilman ulkoisten akkujen, ECC:n tai kulumisen tasoittamisen tarvetta, yhtiö hehkuttaa.
Ensi vaiheessa tarjolle tuodaan 1 ja 4 gigabitin MRAM-piirit. Datanluku onnistuu SRAMnopeudella ja datan luvataan pysyvän tallessa jopa tuhannen vuoden ajan. Luku/kirjoitusjaksoja luvataan yli 1014 eli riittävästi mihin tahansa sovellukseen. Yhtiöllä on jo työn alla 16 gigabitin versio.
UMC:n linjoilla valmistettavat piirit paketoidaan standardiin 142-nastaiseen FBGA-koteloon, jolla on kokoa 15 x 17 millimetriä. Piirit sopivat käytännössä sellaisenaan korvaamaan vastaavat SRAM-muistit suunnitteluissa.
Avalanche kutsuu kolmannen polven MRAM-muistiaan nimellä 3D Cross Point MRAM. Yhtiön mukaan tekniikka tuo sovelluksiin SRAM-tyyppisen nopeuden, DRAM-virrankulutuksen sekä flasheista tutun haihtumattomuuden. Lisäksi arkkitehtuurin uskotaan skaalautuvan jopa terabittitasolle.
Lisätietoja Avalanchen piireistä löytyy täällä.
https://www.avalanche-technology.com/products/discrete-mram/space/
Virtaamamittaus on monissa laitteissa kriittinen mutta usein ongelmallinen toiminto. Perinteiset mekaaniset anturit kuluvat ja jäävät sokeiksi pienille virtausnopeuksille. Ultraäänitekniikkaan perustuvat valmiit moduulit tarjoavat nyt tarkan, huoltovapaan ja helposti integroitavan vaihtoehdon niin kuluttaja- kuin teollisuussovelluksiin.