STMicroelectronics rakentaa integroidun piikarbidi-pohjaisten tehokomponenttien substraattitehtaan Italiaan tukemaan SiC-piirien kasvavaa kysyntää. Tuotannon odotetaan alkavan vuonna 2023. Tehdas on samalla ensimmäinen Euroopassa, jossa valmistetaan 150 millimetrin SiC-epitaksiaalikiekkoja.
SiC-kiekkojen tehdas rakennetaan ST:n Catanian tehtaalle Sisiliaan nykyisen piikarbidipiirien rinnalle. ST kertoo lisäksi sitoutuneensa kehittämään tulevaisuudessa SiC-kiekkojen valmistuksen 200-millisillä kiekoilla.
Italian valtio tukee taloudellisesti viiden vuoden aikana tehtävää 730 miljoonan euron investointia kansallisen elvytys- ja selviytymissuunnitelman puitteissa. Rakentamisen aikana projekti luo noin 700 työpaikkaa.
Piikarbidi on yksi laajan kaistaeron materiaaleista, jotka ovat nopeasti mullistamassa tehoelektroniikan komponenttien suorituskykyä. Piihin verrattuna galliumnitridi- eli GaN-komponenteissa elektronien liikkuvuus on selvästi parempi, mikä tarkoittaa suuria kytkentänopeuksia ja karkeasti ottaen nopeampaa latausta.
Piikarbidi- eli SiC-piireissä lämpöjohtavuus on paljon parempi, joten niissä voidaan ajaa suurempia jännitteitä. Yleisellä tasolla SiC sopii paremmin esimerkiksi sähköautoihin ja teollisuuden sähkökoneisiin, GaN pienempiin laitteisiin kuten älypuhelimiin tai tietokoneiden latureihin.
Virtaamamittaus on monissa laitteissa kriittinen mutta usein ongelmallinen toiminto. Perinteiset mekaaniset anturit kuluvat ja jäävät sokeiksi pienille virtausnopeuksille. Ultraäänitekniikkaan perustuvat valmiit moduulit tarjoavat nyt tarkan, huoltovapaan ja helposti integroitavan vaihtoehdon niin kuluttaja- kuin teollisuussovelluksiin.