Kalifornialainen Navitas Semiconductor tunnetaan huippunopeuden kännykkälaturien tehopiireistä. Nyt yritys rummuttaa, että palvelimien ja datakeskusten teholähteissä pitää niissäkin siirtyä galliumnitridi-pohjaisiin tehokomponentteihin, jotta laitteissa ja laitoksissa voidaan vastata tiukentuviin energiatehokkuuden vaatimuksiin.
Navitas kertoo, että sen uusi palvelinpowerien referenssisuunnittelu (CRPS185 3 200 W "Titanium Plus") ylittää esimerkiksi EU-alueen tiukat 80Plus Titanium -tehokkuusvaatimukset.
Tarve paremmille hyötysuhteille on hellppo ymmärtää. Esimerkiksi tekoälyn prosessointiin tarkoitetut suorittimet, kuten Nvidian DGX GH200 Grace Hopper, vaativat kukin jopa 1 600 W:n tehon. Tämä tarkoittaa, että yhden palvelinräkin kokonaistehonkulutus kasvaa 30–40 kilowatista aina sataan kilowattiin asti.
Navitaksen uudet referenssimallit nopeuttavat palvelinkoneiden teholähteiden kehitystä. Ne perustuvat kännykkälatureissa mainetta saaneisiin GaNFast-tehopiireihin, joissa energiatehokkuus ja tehotiheys ovat aivan eri tasolla kuin perinteisissä piipohjaisissa suunnitteluissa.
Navitaksen CRPS185-alusta tarjoaa täyden 3200 W tehon vain 1U-koossa (40 x 73,5 x 185 mm). Alustan tehotiheys on 5,9 W neliötuumaa kohti. Piihin verrattuna GaN-laitteella päästään samaan tehoon 40 prosenttia pienemmässä koossa.
Samalla GaN-pohjainen teholähde saavuttaa 96,5 prosentin hyötysuhteen 30 prosentin kuormalla, mikä ylittää helposti Titanium-tehokkuusstandardin. Palvelimien lisäksi tätä ratkaisua voidaan käyttää laajasti myös sovelluksissa, kuten kytkimien/reitittimien virtalähteissä, viestinnässä ja muissa laskentasovelluksissa.
Virtaamamittaus on monissa laitteissa kriittinen mutta usein ongelmallinen toiminto. Perinteiset mekaaniset anturit kuluvat ja jäävät sokeiksi pienille virtausnopeuksille. Ultraäänitekniikkaan perustuvat valmiit moduulit tarjoavat nyt tarkan, huoltovapaan ja helposti integroitavan vaihtoehdon niin kuluttaja- kuin teollisuussovelluksiin.