Kännykkälaturit galliumnitridi-piireillään mullistanut Navitas Semiconductor on julkistanut maailman ensimmäisen 8,5 kilowatin teholähteen, joka toimii GaN- ja SiC-tekniikoilla. Tällä yhdistelmällä datakeskuslaitteiden hyötysuhde on saatu nostettua 98 prosenttiin.
Tekoälylle optimoitu 54 V:n lähtövirtalähde noudattaa Open Compute Project (OCP)- ja Open Rack v3 (ORv3) -spesifikaatioita ja käyttää suuritehoisia GaNSafe- ja Gen-3 Fast SiC -MOSFET-piirejä, jotka on konfiguroitu 3-vaiheisiin lomitettuihin PFC- ja LLC-topologioihin. Näin varmistetaan mahdollisimman suuri tehokkuus ja suorituskyky, sekä pienin komponenttimäärä.
Teholähteessä siirtyminen 3-vaiheiseen topologiaan sekä PFC:lle että LLC:lle (verrattuna kilpailevien virtalähteiden käyttämiin 2-vaiheisiin topologioihin) mahdollistaa alan pienimmän aaltoiluvirran ja EMI-häiriöt. Powerin tulojännitealue on 180 - 264 Vac, valmiustilan lähtöjännite 12 V ja käyttölämpötila -5… +45 astetta. Sen pitoaika 8,5 kW:lla on 10 ms, ja 20 ms mahdollista jatkeen kautta.
3-vaiheisen LLC- eli resonaattorimuunnintopologian mahdollistaa suuritehoinen GaNSafe-piiri, joka on luotu erityisesti vaativiin, suuritehoisiin sovelluksiin, kuten tekoälyn palvelinkeskuksiin ja teollisuusmarkkinoille. Navitasin 4. sukupolvi integroi sirulle ohjaus-, käyttö-, tunnistus- ja kriittiset suojausominaisuudet, jotka parantavat luotettavuutta ja kestävyyttä.
Tria Technologies on julkaissut uuden OSM-LF-IMX95-moduulin, joka tuo tekoälylaskennan suoraan piirilevylle juotettavaan muotoon. Moduuli perustuu NXP i.MX 95 -sovellusprosessoriin ja noudattaa Open Standard Module eli OSM 1.2 -määrittelyä.
Virtaamamittaus on monissa laitteissa kriittinen mutta usein ongelmallinen toiminto. Perinteiset mekaaniset anturit kuluvat ja jäävät sokeiksi pienille virtausnopeuksille. Ultraäänitekniikkaan perustuvat valmiit moduulit tarjoavat nyt tarkan, huoltovapaan ja helposti integroitavan vaihtoehdon niin kuluttaja- kuin teollisuussovelluksiin.