Taiwanilainen puolijohdevalmistaja TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) on ilmoittanut aloittavansa uuden sukupolven 2 nanometrin sirujen tuotannon vuoden 2025 viimeisellä neljänneksellä. Tämä merkitsee merkittävää edistysaskelta puolijohdeteknologiassa, sillä uudet 2nm-sirut tuovat huomattavia parannuksia suorituskykyyn ja energiatehokkuuteen.
2nm-prosessi, joka tunnetaan nimellä N2, otetaan käyttöön yhtiön Fab 20 -tehtaassa Hsinchussa, Taiwanissa, jonka kapasiteetti on 30 000 piikiekkoa kuukaudessa. Pian tämän jälkeen Kaohsiungissa sijaitseva Fab 22 -tehdas aloittaa tuotantonsa vuoden 2026 ensimmäisellä neljänneksellä samalla kuukausikapasiteetilla.
2nm-prosessi hyödyntää uutta Gate-All-Around (GAA) -transistoriteknologiaa, joka parantaa suorituskykyä ja vähentää energiankulutusta. Verrattuna aiempaan N3E-prosessiin N2-prosessi tarjoaa 10–15 % suorituskykyparannuksen samalla tehonkulutuksella tai vaihtoehtoisesti 25–30 % energiansäästön samalla suorituskyvyllä. Lisäksi N2 on 15 % tiheämpi kuin N3E, mikä mahdollistaa entistä tehokkaamman piisirujen valmistuksen.
N2-prosessi sisältää myös uuden NanoFlex-teknologian, joka mahdollistaa eri suorituskyky- ja tehonkulutusvaatimuksiin optimoitujen komponenttien yhdistelyn samassa suunnittelussa. Tämä antaa sirusuunnittelijoille enemmän joustavuutta parantaa tuotteidensa suorituskykyä.
TSMC:n toimitusjohtaja C.C. Wei on ilmoittanut, että yhtiön 2nm-prosessille suunniteltu kapasiteetti on jo suurempi kuin nykyiselle 3nm-prosessille, mikä kertoo asiakkaiden vahvasta kysynnästä.
Virtaamamittaus on monissa laitteissa kriittinen mutta usein ongelmallinen toiminto. Perinteiset mekaaniset anturit kuluvat ja jäävät sokeiksi pienille virtausnopeuksille. Ultraäänitekniikkaan perustuvat valmiit moduulit tarjoavat nyt tarkan, huoltovapaan ja helposti integroitavan vaihtoehdon niin kuluttaja- kuin teollisuussovelluksiin.