Tuhat kertaa nykyisiä NAND-piirejä nopeampi ja 8-10 kertaa DRAM-muisteja tiheämpi. Markkinoille ensi vuonna. Siinä kiteytettynä Intelin ja Micronin jakama informaatio uudesta 3D Xpoint-muistista.
Informaatio on aika niukkaa, kun ottaa huomioon, että kyse on ensimmäisestä merkittävästä muisti-innovaatiosta sitten NAND-flahsin keksimisen vuonna 1989. Silti itse tekniikka vaikuttaa jo valmiilta, sillä kiekkoja tuotetaan täyttä häkää Intelin ja Micronin yhteisen IMFT-yrityksen linjoilla.
Uusi muisti perustuu Intelin ja Micronin löytämiin materiaaleihin. Bittejä ei enää tallenneta perinteiseen tapaan kytkemällä ja varastoimalla ykkösiä ja nollia. 3D Xpoint -muistin käyttömahdollisuuksia on kuitenkin vaikea arvioida tarkemmin, ennen kuin Intel suostuu kertomaan lisää tekniikan yksityiskohdista.
Ensimmäinen 3D Xpoint -piiri tulee olemaan 128 gigabitin piiri. Bittejä tallentuu yksi jokaiseen soluun, mutta silti tiheys on ennen näkemätöntä luokkaa.
3D Xpoint muistuttaa periaatteeltaan resistiivistä RAM-muistia eli ReRAMia, jota on yritetty kaupallistaa pidemmän aikaa.