Tuhat kertaa nykyisiä NAND-piirejä nopeampi ja 8-10 kertaa DRAM-muisteja tiheämpi. Markkinoille ensi vuonna. Siinä kiteytettynä Intelin ja Micronin jakama informaatio uudesta 3D Xpoint-muistista.
Informaatio on aika niukkaa, kun ottaa huomioon, että kyse on ensimmäisestä merkittävästä muisti-innovaatiosta sitten NAND-flahsin keksimisen vuonna 1989. Silti itse tekniikka vaikuttaa jo valmiilta, sillä kiekkoja tuotetaan täyttä häkää Intelin ja Micronin yhteisen IMFT-yrityksen linjoilla.
Uusi muisti perustuu Intelin ja Micronin löytämiin materiaaleihin. Bittejä ei enää tallenneta perinteiseen tapaan kytkemällä ja varastoimalla ykkösiä ja nollia. 3D Xpoint -muistin käyttömahdollisuuksia on kuitenkin vaikea arvioida tarkemmin, ennen kuin Intel suostuu kertomaan lisää tekniikan yksityiskohdista.
Ensimmäinen 3D Xpoint -piiri tulee olemaan 128 gigabitin piiri. Bittejä tallentuu yksi jokaiseen soluun, mutta silti tiheys on ennen näkemätöntä luokkaa.
3D Xpoint muistuttaa periaatteeltaan resistiivistä RAM-muistia eli ReRAMia, jota on yritetty kaupallistaa pidemmän aikaa.
Virtaamamittaus on monissa laitteissa kriittinen mutta usein ongelmallinen toiminto. Perinteiset mekaaniset anturit kuluvat ja jäävät sokeiksi pienille virtausnopeuksille. Ultraäänitekniikkaan perustuvat valmiit moduulit tarjoavat nyt tarkan, huoltovapaan ja helposti integroitavan vaihtoehdon niin kuluttaja- kuin teollisuussovelluksiin.