Seuraavan polven älypuhelimissa suorituskyky ei jää työmuistin tehosta kiinni. Samsung on esitellyt uuden 8 gigatavun LPDDR4-tyyppisen mobiililaitteiden DRAM-muistin, jonka suorituskyky yltää jo selvästi perusmikroa paremmaksi.
Jos nyt ostaa kaupasta perusluokan mikron, siinä on tyypillisesti DDR4-muisti jopa operoi 2133 megabitin datanopeudella. Samsungin uusi mobiilimuisti siirtää dataa prosessorille 4266 megabittiä sekunnissa. Pian älypuhelin käsittelee isoa ruutua siis nopeammin kuin pöytäkone.
Uutuusmuisti koostuu neljästä 16 gigabitin LPDDR4-muistipiiristä. Ne on valmistettu ”10 nanometrin luokkaan” kuuluvassa prosessissa mikä Samsungin kielessä tarkoittaa alle 20 nanometrin viivanleveyttä.
Käytännössä uusi muisti tarkoittaa sitä, että älypuhelin voidaan suruttaa liittää 4K-näyttöön. Tabletissa se tarkoittaa, että paneeli voi kasvaa 4K-reosluutioon, eikä kuva nyi ainakaan muistin hitauden takia.
Muisti on kooltaan 15x15-millinen ja yhden millin paksu. Periaatteessa se voidaan istuttaa mobiililaitteen sovellusprosessorin päälle tai liittää suoraan nopean flash-tallennusmuistin alle.
Kun suurteholaskennan (HPC) työkuormat monimutkaistuvat, generatiivinen tekoäly sulautuu yhä tiiviimmin moderneihin järjestelmiin ja lisää kehittyneiden muistiratkaisujen tarvetta. Vastatakseen näihin muuttuviin vaatimuksiin ala kehittää uuden sukupolven muistiarkkitehtuureja, jotka maksimoivat kaistanleveyden, minimoivat latenssin ja parantavat energiatehokkuutta.
