Toshiba on esitellyt älypuhelimien ja tablettien uuden nand-flashin, joka perustuu yhtiön toisen polven 19 nanometrin prosessiin. Neljä 64 gigabitin sirua on istutettu yhdeksi 32 megatavun muistiksi.
11,5 x 13 millin koteloon on lisäksi integroitu ohjain, jonka ansiosta piiri tukee JEDECin uusia sulautetun flashin eli eMMC-määrityksiä. Kaikkiaan kapasiteettivalikoima laajenee myöhemmin kattamaan koot neljästä 128:een gigatavuun.
128 gigatavun moduuli tuo esimerkiksi älypuhelimessa jo melkoisen tallennuskapasiteetin käyttäjälle. Tilaan sopii esimerkiksi 2222 tuntia musiikkia 128 kilobitin näytteistysnopeudella tai reilut 16 tuntia täyden teräväpiirron videaokuvaa.
Toshiban mukaan 16 ja 32 gigatavun moduulien volyymituotanto alkaa jo marraskuun aikana.