Superkoneissa ja tekoälysovelluksissa tarvitaan yhä nopeampaa muistia. Samsung vastaa huutoon tuomalla tarjolla volyymeissä uuden HBM2-väylää hyödyntävän Aquabolt-muistin.
Samsungin mukaan 8 gigatavun HBM2-väyläinen (High Bandwidth Memory-2) muisti on markkinoiden nopein datansiirrossa. Yhtä nastaa pitkin muisti siirtää dataa 2,4 gigabittiä sekunnissa, vaikka piiri toimii alhaisella 1,2 voltin jännitteellä.
8 gigatavun piiri siirtää dataa yhteensä 307 gigatavua sekunnissa. Tämä on 9,6 kertaa nopeammin kuin 8 gigabitin GDDR5-piireissä, joissa kaistanleveys on 32 gigatavua sekunnissa.
Jos laitteistoon asentaa neljä uutta HBM2-muistia, saavutetaan muistissa jo 1,2 teratavun kaistanleveys. Ensimmäisen polven HBM2-muisteihin verrattuna suorituskyky kasvaa jopa 50 prosenttia, Samsung kehuu.
8 gigatavun Aquabolt-muisti koostuu kahdeksasta 8 gigabitin HBM2-piiristä, jotka on pystysuoraan liitetty toisiinsa yli 5000 TSV-läpiviennillä. Tällainen rakenne on haasteellinen datan synkronoinnin kannalta, mutta Samsung sanoo ratkaisseensa ongelmat.
Yhtiö sanoo myös lisänneensä lämpönystyjen määrää HBM2-sirujen välillä. Tämän avulla pinotun rakenteen lämmöntuotto pysyy paremmin hallinnassa.
Kun suurteholaskennan (HPC) työkuormat monimutkaistuvat, generatiivinen tekoäly sulautuu yhä tiiviimmin moderneihin järjestelmiin ja lisää kehittyneiden muistiratkaisujen tarvetta. Vastatakseen näihin muuttuviin vaatimuksiin ala kehittää uuden sukupolven muistiarkkitehtuureja, jotka maksimoivat kaistanleveyden, minimoivat latenssin ja parantavat energiatehokkuutta.
