Gallium-nitridi -pohjaiset tehotransistorit ovat mullistaneet kannettavien laitteiden laturien suunnittelun. Yhä enemmän tehoa saadaan irti yhä paremmalla hyötysuhteella yhä pienemmästä koosta. Ankerin toisen polven GaN-laturit kuvaavat kehitystä hyvin.
Anker on esitellyt Nano II -sarjan laturit. Ne kytkevät kaksi kertaa ykköspolven Nano-latureita nopeammin ja lupaavat yhtiön mukaan 20 prosenttia paremman hyötysuhteen. Tämän ansiosta laturien kokoa voidaan pienentää ja ne tuottavat aiempaa vähemmän lämpöä.
GaN on ns. laajan kaistaeron (wide bandgap) materiaali. Sen takia se kestää piitä korkeampia jännitteitä ja nopeampaa kytkentää. Pienelläkin laturilla voidaan syöttää suurempia lataustehoja laitteille, mikä lyhentää lataukseen kuluvaa aikaa.
Anker tarjoaa Nano II -latureita kolmella eri teholla: 30, 45 ja 65 wattia. USBC-liitännällä varustettujen laturien toimitukset alkavat kesäkuussa ja niillä voi paikata vaikkapa joidenkin älypuhelinmallien uusista pakkauksista puuttuvaa laturivajetta.
Esimerkiksi 30 watin Nano II -laturin mitat ovat 3,1 x 3,0 x 3,8 senttiä. Tehokkaimmalla eli 65 watin laturilla voi ladata Macbook Airin alle kahdessa tunnissa.