
DDR5-tekniikka tulee DRAM-moduuleihin jo tänä vuonna, vaikka kuluttajat joutuvatkin odottamaan nopeampaa muistia ensi vuoteen. Samsung sanoo kehittävänsä 24 gigabitin DDR5-piirejä. Niiden avulla on mahdollista rakentaa palvelimiin jopa 768 gigatavun DRAM-moduuli.
Yhtiö julkisti kehityshankkeensa osavuosikatsauksensa yhteydessä. Yhtiöhän on jo demonnut 512 gigatavun RDIMM-moduulia, joka perustuu 32 kappaleeseen 16 gigatavun kampoja. Ne puolestaan perustuvat kahdeksaan 16 gigabitin DDR5-piiriin.
Tulevat 24 gigabitin DDR5-piirit pinotaan samaan tapaan päällekkäin. 8 kerroksen signaali- ja teholinjat yhdistetään TSV-läpivienneillä. 32 x 24 gigatavua kasvattaa muistimoduulin kokonaiskapasiteetin 768 gigatavuun.
Samsungin mukaan palvelinjärjestelmä, jossa olisi kahdeksan muistiväylää ja kaksi tällaista moduulia kussakin, voisi tukea yli 12 teratavun DDR5-kokonaiskapasiteettia.
Samsungin mukaan tulevia piirejä voidaan hyödyntää myös kuluttajakoneissa, kunhan prosessorivalmistajat saavat ulos DDR5-tuella varustetut suorittimensa.






















