DDR5-tekniikka tulee DRAM-moduuleihin jo tänä vuonna, vaikka kuluttajat joutuvatkin odottamaan nopeampaa muistia ensi vuoteen. Samsung sanoo kehittävänsä 24 gigabitin DDR5-piirejä. Niiden avulla on mahdollista rakentaa palvelimiin jopa 768 gigatavun DRAM-moduuli.
Yhtiö julkisti kehityshankkeensa osavuosikatsauksensa yhteydessä. Yhtiöhän on jo demonnut 512 gigatavun RDIMM-moduulia, joka perustuu 32 kappaleeseen 16 gigatavun kampoja. Ne puolestaan perustuvat kahdeksaan 16 gigabitin DDR5-piiriin.
Tulevat 24 gigabitin DDR5-piirit pinotaan samaan tapaan päällekkäin. 8 kerroksen signaali- ja teholinjat yhdistetään TSV-läpivienneillä. 32 x 24 gigatavua kasvattaa muistimoduulin kokonaiskapasiteetin 768 gigatavuun.
Samsungin mukaan palvelinjärjestelmä, jossa olisi kahdeksan muistiväylää ja kaksi tällaista moduulia kussakin, voisi tukea yli 12 teratavun DDR5-kokonaiskapasiteettia.
Samsungin mukaan tulevia piirejä voidaan hyödyntää myös kuluttajakoneissa, kunhan prosessorivalmistajat saavat ulos DDR5-tuella varustetut suorittimensa.
Virtaamamittaus on monissa laitteissa kriittinen mutta usein ongelmallinen toiminto. Perinteiset mekaaniset anturit kuluvat ja jäävät sokeiksi pienille virtausnopeuksille. Ultraäänitekniikkaan perustuvat valmiit moduulit tarjoavat nyt tarkan, huoltovapaan ja helposti integroitavan vaihtoehdon niin kuluttaja- kuin teollisuussovelluksiin.