Electronica - Piilaaksolainen Navitas Semiconductor majailee messuilla pienellä osastolla, mutta sen ympärillä käy kova kuhina. Yhtiön galliumnitridipohjaiset piirit ovat mullistamassa akkukäyttöisten laitteiden lataamista. Ensi vuonna sen piirellä mennään jo 240 watin lataustehoon.
- Tällä hetkellä ennätys taitaa olla 200 tai 210 wattia. Xiaomin tai Vivon uutuusmalli, arveli markkinointijohtaja Stephen Oliver. Kulloisestakin ennätyksen haltijasta on vaikea pysyä kärryillä, sillä titteli vaihtuu nyt vähän väliä.
Yhteistä hyperpikalatureille on, että ne perustuvat useimmiten Navitasin piireihin. Tällä hetkellä GaN-latureiden osuus noin kahden miljardin kännykkälaturin markkinoista on vain kaksi prosenttia, joten Oliver näkee jo lähitulevaisuudessa valtavat kasvumahdollisuudet. Navitaskin on vielä pieni puolijohdetaloa, sillä tänä vuonna myynti kasvaa 38 miljoonaan dollariin.
Kuinka nopeaksi kännykän lataaminen voi sitten kehittyä? Oliverin mukaan tällä hetkellä rajaa asetta USB-väylän tehonsiirtostandardin eli PD 3.1-version 240 watin maksimiteho. Sellaisia latureita markkinoille on luvassa jo ensi vuonna. Varmaan Applekin tuo iPhone-käyttäjille ensi vuonna jotakin vastaavaa? Tätä Oliver ei halunnut kommentoida. Reaktiosta voi kukin päätellä, mitä haluaa.
Onko GaN-tekniikalla sitten jotain rajoituksia? Läppäreissä latausteho voidaan nostaa vaikka 500 wattiin ja näin ollaan tekemässäkin. Oliverin mukaan materiaali haluaa olla nopea ja kytkeä virtaa erittäin pienessä koossa ja tuottamalla vähemmän lämpöä.
Haaste on transistorien hila. Jos jännite on liian matala, kannattaa laturi edelleen tehdä piipohjaisilla komponenteilla. Jos jännite on liian korkea, hila hajoaa. - 7 volttia on raja, sen yli GaN-piireillä ei voida mennä.
Laturivalmistajan pitää siksi löytää ihanteellinen latausjännite, jossa lataus on mahdollisimman nopeaa mahdollisimman kompaktissa koossa. Navitasin GaNSense-tekniikassa tuleva jännite reguloidaan 6,2 volttiin. Ratkaisulla voidaan syöttää 300 wattia tehoa ilman jäähdytystä.
Tämä tarkoittaa käytännössä, että piin peli pienten mobiililaitteiden latureissa alkaa olla pelattu. Ja tämä pieni vallankumous on tapahtunut nopeasti. Seuraavaksi Navitas vie tekniikkansa autolatureihin aina 20 kilowattiin asti. Ja vastaikään ostetuilla SiC-piireillä yritetään vallata suuremmat tehot, aina 200 megawattiin asti, Oliver kehui.
Norjalainen Sensibel on esitellyt optiseen MEMS-tekniikkaan perustuvan SBM140B-mikrofonin, jonka dynamiikka yltää 136 desibeliin. Valmistajan mukaan vastaavaan suorituskykyyn ei päästä perinteisillä kapasitiivisilla MEMS-mikrofoneilla.
Suojattu flash-muisti tarjoaa verkkoon liitetyille laitteille ja järjestelmille laitteistopohjaisen suojauskerroksen ja täyttää NIST SP800-193 -ohjeistuksen mukaiset häiriönsietovaatimukset. Muistipiireihin erikoistuneen Winbondin kehittämä suojattu flash-piiri on myös suoraan korvaava ja täysin yhteensopiva tavanomaisten NOR-flash-piirien kanssa.