Galliumnitridi on viimeisen parin vuoden ajan mullistanut teholähteiden kehtyksen erityitsesti pienempien tehojen laitteissa. Nyt markkinoilla on saatu ensimmäinen iso GaN-patenttiriita, kun Infineon haastaa Innosciencen oikeuteen patentinloukkauksesta.
Infineon Technologies Austria AG on haastanut Zhuhaissa päämajaansa pitävän Innoscience Technologyn ja Innoscience American oikeuteen Yhdysvalloissa. Infineon hakee pysyvää käyttökieltoa Infineonin omistaman galliumnitridi-teknologian yhdysvaltalaisen patentin loukkaamisesta.
Patenttivaatimukset kattavat GaN-tehopuolijohteiden keskeiset osa-alueet sisältäen innovaatioita, jotka mahdollistavat Infineonin patentoitujen GaN-piirien luotettavuuden ja suorituskyvyn. Kanne nostettiin Kalifornian pohjoisen piirin käräjäoikeuteen.
Infineon väittää, että Innoscience loukkaa edellä mainittua patenttia valmistamalla, käyttämällä, myymällä, tarjoamalla myytäväksi ja/tai tuomalla Yhdysvaltoihin erilaisia tuotteita, mukaan lukien GaN-transistorit useisiin sovelluksiin autoteollisuudessa, datakeskuksissa, aurinko-, moottori- ja kuluttajalaitteissa.
Infineon ilmoitti viime lokakuussa saavansa päätökseen GaN Systems Inc:n ostamisen. Kaupan myötä Infineonilla on suurin GaN-patenttien salkku, johon kuuluu noin 350 patenttiperhettä.
Analyytikot odottavat tehosovellusten GaN-piirien liikevaihdon kasvavan jatkossa 49 prosentin vuosivauhtia. Vuonna 2028 markkoiden kooksi ennustetaan noin kahta miljardia dollaria.
Tria Technologies on julkaissut uuden OSM-LF-IMX95-moduulin, joka tuo tekoälylaskennan suoraan piirilevylle juotettavaan muotoon. Moduuli perustuu NXP i.MX 95 -sovellusprosessoriin ja noudattaa Open Standard Module eli OSM 1.2 -määrittelyä.
Virtaamamittaus on monissa laitteissa kriittinen mutta usein ongelmallinen toiminto. Perinteiset mekaaniset anturit kuluvat ja jäävät sokeiksi pienille virtausnopeuksille. Ultraäänitekniikkaan perustuvat valmiit moduulit tarjoavat nyt tarkan, huoltovapaan ja helposti integroitavan vaihtoehdon niin kuluttaja- kuin teollisuussovelluksiin.