Piikarbidi eli SiC kestää erittäin korkeita lämpötiloja, mikä tekee siitä ihanteellisen materiaalin tehoelektroniikan komponenteille. Lisäksi SiC tarjoaa korkean sähköisen johtavuuden ja matalan sähkönvastuksen. Tämän takia SiC_pohjaisen tehoelektroniikan tuotantoon investoidaan nyt vauhdilla.
Amerikkalainen onsemi investoi Tshekin tasavaltaan jopa 2 miljardia dollaria eli noin 1,8 miljardia euroa usean vuoden ajan kasvattaakseen SiC-komponenttien tuotantoa. Investointi olisi yksi Tshekin historian suurimmista yksityisen sektorin investoinneista sekä yksi ensimmäisistä kehittyneen puolijohdevalmistuksen investoinneista Keski-Euroopassa.
Sähköistyminen, uusitutuvat energialähteet sekä tekoäly ovat maailmanlaajuisia megatrendejä, jotka linkittyvät toisiinsa ja luovat ennennäkemättömän kysynnän kehittyneille tehopuolijohteille, joilla voidaan optimoida energian muuntaminen ja hallinta. Onsemin tulevassa tehtaassa tullaan valmistamaan yhtiön älykkäitä tehopuolijohteita, jotka ovat välttämättömiä sähköajoneuvojen, uusiutuvien energialähteiden ja tekoälydatakeskusten sovellusten energiatehokkuuden parantamisessa.
Investointi on jatkumoa yhtiön nykyisiin toimintoihin Tshekin tasavallassa, joihin kuuluvat piikiteiden kasvatus, pii- ja piikarbidikiekkojen valmistus (kiillotettu ja EPI) sekä piikiekkotehdas. Tehdas pystyy tuottamaan tällä hetkellä yli kolme miljoonaa kiekkoa vuodessa sekä yli miljardi sähkölaitetta. Tehdas sijiatsee Roznovissa.
Onsemi on yksi harvoja valmistajia maailmassa, joka kykenee valmistamaan SiC-pohjaisia puolijohteita kiteiden kasvattamisesta aina kehittyneisiin pakkausratkaisuihin saakka.
Saksalaislähtöinen Ubitium on kehittänyt innovatiivisen prosessoriarkkitehtuurin, joka yhdistää eri suorittimien (CPU, GPU, DSP, FPGA) toiminnot yhteen siruun. Yrityksen mukaan tämä uusi RISC-V-arkkitehtuuriin perustuva ratkaisu mullistaa yli 50 vuotta vanhan suorittimien suunnittelun.
Moni uusi sähköauton omistaja kokee toimintasädeahdistusta. Tätä ongelmaa autonvalmistajat voivat helpottaa siirtymällä piipohjaista IGBT-piireissä piikarbidiopohjaisiin siruihin. auton vetoinvertterissä.
