
Samsung on tuomassa markkinoille uuden sukupolven Z-NAND-flash-muistin, joka lupaa jopa kymmenkertaisen nopeuden verrattuna aiempiin huippuluokan NVMe SSD -levyihin. Uutuuden salaisuus on sen poikkeuksellisen matala latenssi: vain 12–20 mikrosekuntia satunnaislukutilanteissa, kun perinteiset SSD:t liikkuvat usein 70–100 mikrosekunnin tasolla.
Z-NAND perustuu Samsungin V-NAND-teknologiaan, mutta sitä on muokattu erityisellä piirirakenteella ja ohjaimella, jotta vasteaika saadaan minimoitua. Tämä tekee siitä houkuttelevan erityisesti viiveherkkiin ja I/O-intensiivisiin sovelluksiin, joissa jokainen mikrosekunti merkitsee.
Tietokannat ja NoSQL-järjestelmät, kuten RocksDB, MongoDB ja Redis, voivat hyödyntää pienempää viivettä kaksinkertaistuneena läpimenona ja puolittuneena vasteaikana. Välimuistiratkaisut, kuten Memcached ja Fatcache, saavat Z-NANDilla jopa 1,6-kertaisen suorituskyvyn ja huomattavasti pienemmän vasteajan verrattuna aiempiin SSD-ratkaisuihin. Käyttöjärjestelmän sivutuksessa (paging) Z-NAND voi toimia tehokkaana swap-tilana, kolminkertaistaen suorituskyvyn ja vähentäen viiveen kolmannekseen verrattuna tavanomaiseen SSD:hen. Analytiikassa ja tekoälysovelluksissa viiveen minimoiminen mahdollistaa suurempien datamäärien reaaliaikaisen käsittelyn ilman, että tallennuslaite muodostaa pullonkaulaa.
Z-NAND ei yllä DRAM-muistin nanosekuntitasoisiin vasteaikoihin – DRAM-viive on tyypillisesti 50–100 nanosekuntia – mutta se tuo markkinoille uuden “välitason” ratkaisun: lähes RAMin kaltaista nopeutta, mutta flashin kapasiteetilla ja kustannuksilla. Tämä yhdistelmä tekee siitä houkuttelevan vaihtoehdon datakeskuksille, joissa nopeus ja alhainen latenssi ratkaisevat palvelun laadun.






















