Intel paljasti viime viikolla sijoittajatapaamisessaan, että se tuo ensi vuoden jälkimmäisellä puoliskolla tarjolle 3D-muisteihin perustuvia flash-kiintolevyjä. Yhtiön mukaan uusi nand-muisti mahdollistaa jo muutaman vuoden kuluessa 10 teratavun SSD-levyjen valmistamisen.
Intelin 3D-flashilla on kaikkiaan 32 kerrosta. Yhdelle MLC-piirille (multi-level cell) voidaan pakata 256 gigabittiä dataa. Jos soluun tallennetaan kolme bittiä, kasvaa kapasiteetti 384 gigabittiin eli 48 gigatavuun.
Intelin haihtumattomista muisteista vastaava Rob Crooke esitteli jo viime viikolla uuden piirin toimivaa protoa. Piiri on tulosta Intelin ja Micronin yhteisestä kehitystyöstä. Intel ei tosin ole vielä kertonut, ryhtyykö se valmistamaan varsinaisia SSD-levyjä itse.
Samsung valmistaa jo nyt 3D-flasheihin perustuvia SSD-levyjä. Korealaisyrityksen piirille saadaan ahdettua 86 gigabittiä dataa MLC-muodossa, joten Intelillä ja Micronilla on melkoinen etumatka tallennustiheydessä.