Kanadalainen GaN Systems on esitellyt galliumnitridipohjaiset tehotransistorit, jotka ovat kooltaan 50 prosenttia kilpailijoita pienempiä. 650-volttisten ja 15-ampeeristen uutuuksien koko on vain 5 x 6,5 milliä. GaN Systems vastaa tiedotteellaan viime viikon uutisiin tehoelektroniikan PCIM-messuilta Frankfurtista, joilla esiteltiin ”maailman pienimmäksi” kehuttu 8x8-millinen galliumnitridikomponentti.
GaN Systemsillä on galliumnitripohjainen tuoteperhe 7-200 ampeerin alueelle. Sen uusin jäsen on GS66504B, jonka mitat ovat siis 50 prosenttia aiempaa ennätystä pienempiä.
Yhtiön toimitusjohtaja Jim Witham kuitenkin sanoo, että viime viikon uutinen ja GaN Systemsin oma julkistus osoittavat, miten nopeasti GaN-pohjaisten tehokomponenttien kehitys etenee. - Näyttää siltä, että pii on tullut tiensä päähän tehoelektroniikassa, Witham ennustaa.
GaN-materiaali tuo kertaluokkia paremman suorituskyvyn kytkentään ja lämmönjohtavuuteen, ja valmistettuna piialustalle (GaN-on-Silicon) se voi alentaa tehojärjestelmän kustannuksia.
Yhä tiiviimmin verkottuneessa maailmassa, jossa kyberuhat ovat jatkuvasti läsnä, yritykset kohtaavat yhä enemmän haasteita suojellessaan järjestelmiään ja tietojaan kyberhyökkäyksiltä. KontronOS on IoT-turvallisuuteen kehitetty käyttöjärjestelmä.
