Langaton lataaminen on erinomainen tekniikka, mutta toistaiseksi siinä on jouduttu tyytymään pienten laitteiden – lähinnä älypuhelimien – lataamiseen 5-10 watin teholla. AirFuel Allianceen liittynyt GaN Systems osoittaa, että sen tehotransistoreilla voidaan lataamisen tehoa kasvattaa merkittävästi, aina kilowattitasolle asti.
Tämä tarkoittaa käytännössä, että sähkövirtaa saadaan syötettyä langattomasti niin kannettaviin tietokoneisiin, voimatyökaluihin ja jopa suurempiin koneisiin.
AirFuel-allianssin määrityksissä eniten tehoa siirtyy korkeammilla 6,78 ja 13,56 megahertsin taajuuksilla. GaN- eli galliumnitriditransistoreilla järjestelmien koko saadaan kutistettua 2-3 kertaa nykyistä pienemmäksi ja myös järjestelmän kustannukset alanevat merkittävästi.
Latausjärjestelmissä voidaan käyttää GaN Systemsin E-HEMT-sarjan transistoreja. Niillä voidaan tuottaa lataustehoja 20 watista aina 2500 wattiin asti.
GaN Systems on jo toteuttanut kaksi esimerkkiä suurempitehoisesta latausjärjestelmästä. Lontoon Imperial Collegen tutkijoiden kanssa kehitettiin 250 watin latausjärjestelmä, joka syöttää sähköä 13,56 megahertsin taajuudella robottilennokkiin lennossa. Lennokissa ei ollut akkua ollenkaan.
Saksalaislähtöinen Ubitium on kehittänyt innovatiivisen prosessoriarkkitehtuurin, joka yhdistää eri suorittimien (CPU, GPU, DSP, FPGA) toiminnot yhteen siruun. Yrityksen mukaan tämä uusi RISC-V-arkkitehtuuriin perustuva ratkaisu mullistaa yli 50 vuotta vanhan suorittimien suunnittelun.
Moni uusi sähköauton omistaja kokee toimintasädeahdistusta. Tätä ongelmaa autonvalmistajat voivat helpottaa siirtymällä piipohjaista IGBT-piireissä piikarbidiopohjaisiin siruihin. auton vetoinvertterissä.
