Moni elektroniikkalaite tarvitsee yhä enemmän tehoa, mutta tilaa tehoelektroniikalle on yhä vähemmän. Tätä hankalaa yhälöä ratkoo GaN Systems, joknka galliumnitridipohjaiset transistorit ovat korvaamassa piipohjaisia mosfeteja ja IGBT-komponentteja monissa sovelluksissa.
GaN Systemsin mukaan tehotiheydet ovat kasvamassa monissa sovelluksissa jopa kolminkertaisiksi. Tehon lisääminen johtaa suoraan siihen, että laitteet tuottavat enemmän lämpöä. Tyypillisesti tämä tarkoittaisi tuulettimia ja aiempaa suurempia jäähdytyselementtejä.
GaN Systemsin tehotransistoreilla voidaan kuitenkin toteuttaa sama teho kolme kertaa pienemmässä tilassa. Käytännössä monessa laitteessa tullaan toimeen ilman aktiivijäähdytystä. Usein laitteet voidaan toteuttaa kokonaan ilman tuulettimia ja jäähdytyselementtejä.
GaN Systemsin mukaan analogaipiirien valmistajat ovat nyt hyväksyneet GaN-transistorit laitteiden perusrakennuspalikoiksi. Suuret sekasignaalipiirien valmistajat kehittävät vauhdilla ohjaimia ja ajureita GaN-pohjaiselle tehoelektroniikalle.
Uusin tehoelektroniikka on esillä maaliskuun lopulla Floridan Tampassa APEC 2017 -näyttelyssä (Applied Power Electronics Conference and Exposition.
Lisätietoja GaN Systemsin sivuilta.
Saksalaislähtöinen Ubitium on kehittänyt innovatiivisen prosessoriarkkitehtuurin, joka yhdistää eri suorittimien (CPU, GPU, DSP, FPGA) toiminnot yhteen siruun. Yrityksen mukaan tämä uusi RISC-V-arkkitehtuuriin perustuva ratkaisu mullistaa yli 50 vuotta vanhan suorittimien suunnittelun.
Moni uusi sähköauton omistaja kokee toimintasädeahdistusta. Tätä ongelmaa autonvalmistajat voivat helpottaa siirtymällä piipohjaista IGBT-piireissä piikarbidiopohjaisiin siruihin. auton vetoinvertterissä.
