Toshiba on lanseeranut langattoman latauspiirin, joka tukee Qi-standardia. Älypuhelimissa ja monissa oheislaitteissa lataamisen mahdollistama piiri tuottaa 70 prosenttia vähemmän lämpöä kuin markkinoilla tällä hetkellä olevat latauspiirit.
Toshiban mukaan viileys perustuu piirin valmistukseen, jossa hyödynnetään CMOS-DMOS-kiekkoprosessia. DMOS on Toshiban tehopiireissään käyttävä BiCMOS-prosessin variantti.
Viileämpi käyntilämpötila tarkoittaa käytännössä pienempää riskiä ylikuumenemiselle, mikä voisi johtaa latauspiirien hajoamiseen. Toshiban mukaan TC7761WBG-piiri yltää kuitenkin muunnokseen korkeaan 95 prosentin tehokkuuteen,
Qi-sertifioidun piirin teho on 3,5 wattia.
Alunperin langattomaan lataaminen oli tarjolla useita tekniikoista. Qi oli vain yksi ehdokkaista. Nyt Qi näyttää nousevan langattoman lataamisen de facto -standardiksi. Esimerkiksi Qi-ohjainpiirien tarjonta laajenee koko ajan kovaa vauhtia. Tekniikkaa kehittää ja hallinnoin viisi vuotta sitten perustettu Wireless Power Consortium.