Mobiililaitteiden muisteissa mennään jatkuvasti tiheämpään, nopeampaan ja vähemmän virtaa kuluttaviin siruihin. Samsungin uusin tulokas on 8 gigabitin piiri, joka tukee vähävirtaista DRR4-määritystä.
Uutuusmuista valmistetaan alle 30 nanometrin prosessissa, jolla yhdelle sirulla saadaan ahdettua yhden gigabitin verran dataa. Neljällä 8 gigabitin sirulla yhteen pakettiin saadaan neljän gigatavun mobiilimuisti.
Samsung ei enää pariin vuoteen ole kertonut muistipiiriensä valmistuksessa käytettävää viivanleveyttä, vaan se puhuu "20 nanometrin luokasta". Tällä yhtiö viittaa alle 30 nanometrin prosessiin.
8 gigabitin piireissä Samsung on ottanut käyttöön itse kehittämänsä LVSTL-liitännän (Low Voltage Swing Terminated Logic). Sen avulla jokaisen nastan kautta saadaan siirrettyä dataa 3200 megabittiä sekunnissa. Vauhti on aiempiin DDR3-tyyppisiin muisteihin verrattuna kaksinkertainen.
Kaikkiaan uusi DDR4-muisti kasvattaa mobiililaitteiden muistin suorituskykyä 50 prosenttia. Silti muistin tehonkulutus putoaa 40 posenttia DDR3-muistien lukemia pienemmäksi.
Sveitsiläinen LEM on tuonut markkinoille uuden kompaktin virta-anturin, joka on suunniteltu 800 V:n kolmivaiheisiin tehomoduuleihin. Mallimerkinnältään HAH3DR S07/SP42 tarjoaa laajan valikoiman virranmittausalueita 700 ampeerista 1200 ampeeriin.
Uusi langaton standardi näyttää auttavan lunastamaan älykkään kodin lupaukset. Se myös tarjoaa kuluttajille turvallisempia, luotettavampia ja saumattomimpia yhteyksiä ja sitä myötä parempia kokemuksia. Standardi on nimeltään Matter.
