Mobiililaitteiden muisteissa mennään jatkuvasti tiheämpään, nopeampaan ja vähemmän virtaa kuluttaviin siruihin. Samsungin uusin tulokas on 8 gigabitin piiri, joka tukee vähävirtaista DRR4-määritystä.
Uutuusmuista valmistetaan alle 30 nanometrin prosessissa, jolla yhdelle sirulla saadaan ahdettua yhden gigabitin verran dataa. Neljällä 8 gigabitin sirulla yhteen pakettiin saadaan neljän gigatavun mobiilimuisti.
Samsung ei enää pariin vuoteen ole kertonut muistipiiriensä valmistuksessa käytettävää viivanleveyttä, vaan se puhuu "20 nanometrin luokasta". Tällä yhtiö viittaa alle 30 nanometrin prosessiin.
8 gigabitin piireissä Samsung on ottanut käyttöön itse kehittämänsä LVSTL-liitännän (Low Voltage Swing Terminated Logic). Sen avulla jokaisen nastan kautta saadaan siirrettyä dataa 3200 megabittiä sekunnissa. Vauhti on aiempiin DDR3-tyyppisiin muisteihin verrattuna kaksinkertainen.
Kaikkiaan uusi DDR4-muisti kasvattaa mobiililaitteiden muistin suorituskykyä 50 prosenttia. Silti muistin tehonkulutus putoaa 40 posenttia DDR3-muistien lukemia pienemmäksi.
Teksasilainen Silicon Labs on esitellyt kaksi uutta piiriperhettä, jotka on suunniteltu markkinoiden pienimpien IoT-laitteiden toteutukseen. Uutuudet ovat xG27-radiopiiri ja BB50-mikro-ohjainyksikkö. Sirujen koot vaihtelevat kahdesta neliömillistä viiteen.
Nykyisin on käytössä useita erilaisia langattoman tiedonsiirron standardeja ja protokollia, jolloin saattaa olla vaikea valita oikeanlainen, tiettyyn sovellukseen soveltuva teknologia. Tässä artikkelissa tuodaan esiin eräitä tärkeimpiä kriteerejä, joita on syytä ottaa tarkastelun kohteeksi, kun valittavana on neljä suosittua vaihtoehtoa: Wi-Fi, Bluetooth Low Energy, valmistajakohtainen RF-tekniikka ja Connectivity Standards Alliancen protokolla Green Power.
