Korealainen SK Hynix on esitellyt 16 gigabitin DDR4-muistin, joka on tähän asti tihein yhden sirun DRAM-piiri. Sen avulla on toteutettu myös DDR-moduuli, joka siirtää dataa prosessorille 3200 megabittiä sekunnissa. Lukema on tähän asti suurin DDR4-liitäntäisissä muisteissa.
SK Hynix kertoo valmistaneensa piirin uudessa 1Z nanometrin prosessissa. Puolijohdetalot eivät nykyään enää kerro tarkkoja viivanleveyksiä, joten eri valmistajien prosessien vertailusta on tullut vaikeampaa.
Siirtyminen lähemmäs 10 nanometrin prosessia on kuitenkin tuonut monia hyötyjä SK Hynixin piirille. Se kuluttaa virtaa 40 prosenttia vähemmän kuin edelliseen prosessisukupolveen perustuva piiri. Lisäksi samalta kiekolta saadaan 27 prosenttia enemmän piirejä, mikä parantaa tuotannon kustannustehokkuutta.
SK Hynixin mukaan uutuuspiirin valmistuksessa ei vielä tarvita EUV-litografiaa. Tämäkin tekee valmistuksesta kustannustehokkaampaa.
SK Hynix aikoo hyödyntää uutta 1Znm-tuotantoprosessia myös tulevissa mobiililaitteiden LPDDR5-muisteissa.