Toshiba Electronics Europe (TEE) on esitellyt 8 gigabitin uutuuden 24 nanometrin prosessissa valmistettuihin BANAND-flasheihinsä. Kulutuselektroniikkaan, älymittareihin, älykkäisiin valaistusjärjestelmiin ja teollisuuden järjestelmiin tarkoitettu muisti osaa itse korjata bittivirheensä.
Kun flasheissa siirrytään tiheämpään prosessiin, solukokojen pienentyminen aiheuttaa sen, että ohjelmoitaessa ja poispyyhittäessä bitteihin tulee virheitä. Käytännössä alle 30 nanoetrin prosessissa vaaditaan 8-bittistä virheenkorjausta.
BENAND-piireillä ECC-virheenkorjaus on integroitu suoraan sirulle. Näin se ei rasita isäntäprosessoria. Laitevalmistajat voivat päivittää vahempaan prosessiin pohjaavat suunnittelunsa suoraan uudempaan ja hyötyä näin tiheämmästä, vähemmän tehoa kuluttavasta muistista. Muistilohkojen koko, komennot, liitäntä ja kotelointi on säilytetty samana kuin aiemmissa yli 40 nanometrin siruissa, Toshiba kehuu.
Toshiban BENAND-portfolio kattaa nyt tiheydet yhdestä gigabitistä kahdeksaan. Kaikki versiot ovat tarjolle sekä TSOP- että BGA-koteloituina.
Virtaamamittaus on monissa laitteissa kriittinen mutta usein ongelmallinen toiminto. Perinteiset mekaaniset anturit kuluvat ja jäävät sokeiksi pienille virtausnopeuksille. Ultraäänitekniikkaan perustuvat valmiit moduulit tarjoavat nyt tarkan, huoltovapaan ja helposti integroitavan vaihtoehdon niin kuluttaja- kuin teollisuussovelluksiin.