Samsung on esitellyt DRAM-moduulit, jotka asettavat suorituskyvyllään riman muille valmistajille melkoisen korkealle. Uudet DDR5-muistit ovat yli kaksi kertaa nykyisiä DDR4-kampoja nopeampia.
Samsungin mukaan 512 gigatavun moduuli yltää datansiirrossa jopa 7200 megabitin nopeuteen sekunnissa. Yhdellä kanavalla tämä tarkoittaa 57,6 gigatavun kapasiteettia.
Nopeus perustuu uuteen HKMG-tekniikkaan, jonka Samsung toi markkinoille pari vuotta sitten GDDR6-piireissä. Niitä käytetään grafiikkakorteilla. Intelin kehittämässä rakenteessa pii on korvattu hafniumilla ja tavalliset polypiipohjaiset hilaelektrodit on korvattu metallilla. Tästä tulee tekniikan nimikin (High-K Metal gate).
Samsungin mukaan uudet muistit tulevat ensin datakeskuksiin ja tehotyöasemiin. Se nopeuttaa raskasta laskentaa, esimerkiksi tekoälyprosessointia.
Moduulin piirit pohjaavat kahdeksaan pinottuun 16 gigabitin piiriin. Kaikkiaan 512 gigatavun kapasiteetti vaatii 32 erillistä piiriä.
PC-koneisiin muisti voi olla tulossa ensi vuonna. Se edellyttää prosessoreja ja emolevyjä, jotka tukevat DDR5-muistia. Tiettäväti AMD:n tulevat Zen 4 -arkkitehtuuriin pohjaavat prosessorit tukevat DDR5-muistia.
Kun suurteholaskennan (HPC) työkuormat monimutkaistuvat, generatiivinen tekoäly sulautuu yhä tiiviimmin moderneihin järjestelmiin ja lisää kehittyneiden muistiratkaisujen tarvetta. Vastatakseen näihin muuttuviin vaatimuksiin ala kehittää uuden sukupolven muistiarkkitehtuureja, jotka maksimoivat kaistanleveyden, minimoivat latenssin ja parantavat energiatehokkuutta.
