Toshiba sanoo kehittäneensä maailman ensimmäisen 15 nanometrin prosesissa valmistetun NAND-muistisirun. 128-gigabittin piiri tallentaa kaksi bittiä jokaiseen soluun. Sen volyymituotanto alkaa huhtikuun lopulla yhtiön Yokkaichin tehtaalla Japanissa.
Uutuus korvaa Toshiban nykyisen 19 nanometrin prosessissa valmistetun piirin. Muistisolun koko on tietysti tihemmän viivanleveyden myötä kutistunut. Datankirjoitus onnistaa samalla nopeudella kuin aiemmin, kun kirjoitusnopeus on kasvanut 1,3-kertaiseksi eli 533 megabittiin sekunnissa.
Toshiba aikoo siirtyä 15 naometriin myös niissä NAND-piireissä, joissa tallennetaan kolme bittiä yhteen soluun. Aluksi näillä piireillä tähdätbään älypuhelimiin ja tabletteihin. Ennen pitkää Toshiba lupaa myös ohjaimen, jonka avulla uusi tiheä muisti tuodaan SSD-kiintolevyihin ja sitä kautta kannettaviin tietokoneisiin.
NAND-siruissa, joita käytetään ennen kaikkea datan tallennukseen, ollaan nopealla aikataululla siirtymässä kolmiulotteisiin rakenteisiin. VIime vuonna 3d-piirien osuus NAND-tuotannosta oli vain yhden prosentin luokkaa, mutta jo kahden vuoden kuluttua niiden osuus kasvaa markkinaennusteiden mukaan jopa 62,5 prosenttiin.