Toshiba sanoo kehittäneensä magneettisen muistin, jota voidaan hyödyntää mikroprosessorien välimuistina. Tekniikka lupaa leikata nykysuorittimien tehonkulutuksesta jopa 60 prosenttia, yhtiö kertoo.
Toshiban mukaan älypuhelinten ja tablettien virrankulutus kasvaa tällä hetkellä osaksi siksi, että sovellusprosessorin välimuistin koko kasvaa kaksinkertaiseksi joka vuosi. Välimuisti kattaa 20-40 prosenttia prosessorin piialasta, 70 prosenttia transistoreista ja puolet tehonkulutuksesta.
Nykyisin välimuistina käytetään SRAM-muistia. Sen korvaaminen haihtumattomalla muistilla on ollut pitkään työn alla, mutta tähän asti magneettisen RAM-muistin eli MRAMin tehonkulutus on ollut selvästi SRAMia suurempi.
Toshiban uusi MRAM-muisti sen sijaan kuluttaa sähköä noin kolmasosan siitä, mitä SRAM kuluttaa. Vanhoihin magneettisiin muisteihin verrattuna tehonkulutus on kutistunut kolmaskymmenesosaan.
Uuden MRAM-muistin avulla prosessorin välimuistin virrankulutus voidana kutistaa kolmasosaan. Toshiba on myös onnistunut simulaatioissa osoittamaan, että Linuxia ajava ARM-prosessori kykenee tähän säästöön tehonkulutuksessa. Yhtiö aikoo esitellä kehitystyönsä tuloksia