Piiritekniikan jokavuotinen IEDM-konferenssi on jälleen esitellyt uusia sirutekniikoita. Yksi mielenkiintoisimmista on Intelin demoama CMOS-piirien 3D-tekniikka. Siinä piitransistorin päälle oli pinottu galliumnitridi-transistori.
Intelin mukaan 3D-ratkaisun kaltaiset innovaatiot pitävät elossa sen tavoitteen, että prosessoripiirillä olisi vuonna 2030 jo biljoona eli tuhat miljardia transistoria. Tämä lienee hyvin hankalaa vain prosessigeometriaa kutistamalla, mutta 3D-rakenteilla täysin toteutettavissa.
Intelin 3D-rakenteen salaisuus on se, että transistorien virransyöttö siirretään hilan takapuolelle. Virtajohtimet saadaan myös vietyä transistorikerroksen läpi jo pari vuotta sitten esitellyn PowerVia-tekniikan ansiosta. Intelin mukaan tekniikka on tulossa kaupalliseen käyttöön jo ensi vuonna.
Intelin demossa transistorihilojen välinen etäisyys on 60 nanometriä. Piirit oli valmistettu 300-millisellä kiekolla ja ensimmäistä kertaa pii- ja GaN-transistorit oli toteutettu saman piirin sisällä, ei siis vain samassa kotelossa.
3D-rakenteita on käytetty muistipiireissä jo pitkään. Flash-siruissa on pinottu jopa yli 200 eri metallointikerrosta päälleikkäin. CPU-sirulla Intelin esittelemä piiri on kuitenkin toistaiseksi ensimmäinen ja ainoa.
Virtaamamittaus on monissa laitteissa kriittinen mutta usein ongelmallinen toiminto. Perinteiset mekaaniset anturit kuluvat ja jäävät sokeiksi pienille virtausnopeuksille. Ultraäänitekniikkaan perustuvat valmiit moduulit tarjoavat nyt tarkan, huoltovapaan ja helposti integroitavan vaihtoehdon niin kuluttaja- kuin teollisuussovelluksiin.