Tehoelektroniikan kehittyminen parantaa laitteiden suorituskykyä ja energiatehokkuutta, sekä kutistaa niiden kokoa. Uusi kuuma materiaali on piikarbidi, johon pohjaavat diodit ovat korvaamassa perinteisiä piidiodeja. Piikarbidi- eli SiC-piireillä voidaan tuoda merkittävästi lisää suorituskykyä ja tehokkuutta moniin sovelluksiin raideliikenteestä uusiutuvan energian tuotantoon. Hybriditekniikoilla, jotka yhdistävät nämä hyödyt piipohjaisten IEGT-transistorien (injection-enhanced gate transistors) tehonkäsittelykykyyn suunnittelijat voivat tehokkaasti pienentää häviöitä samalla, kun laitteiden koko saadaan pienemmäksi.
Suurten moottorikäyttöjen tehokkuuden parantaminen raideliikenteessä tai raskaassa teollisuudessa - kuten vaikkapa rullien pyörittäminen terästeollisuudessa - vaikka vain muutamalla prosentilla voi säästää merkittävät määrät energiaa, joka normaalisti hukataan lämpönä. Tämä tarkoittaa pienempiä toimintakustannuksia, halvempaa laitesuunnittelua, parempaa suorituskykyä, ja pienempää hiilijalanjälkeä. Tehopuolijohteissa on otettu merkittäviä edistysakselia viime vuosina, kun uudet arkkitehtuurit, tuotantoprosessit ja teknologiat ovat auttaneet parantamaan sekä kytkennän että lämmönjohtumisen tehokkuutta.
Toshiba Electronics Europella tehopuolijohteista vastaava pääsuunnittelija tohtori Georges Tchouangue on kirjoittanut uusia SiC-ratkaisuja esittelevän artikkelion. Teksti löytyy artikkeliosiostamme.