Muistipiireissä kehitys menee yhä tiheämpiin prosesseihin ja kapasiteetin lisäämiseen siruja pinoamalla, mutta välillä myös yksittäisten piirien kapasiteetissa rikotaan vanhoja ennätyksiä. Nyt amerikkalainen Micron Technology on ahtanut peräti 8 gigabitin tiheyden yhdelle piisirulle.
Uusi DDR3-väylää tukeva piiri on valmistettu Micronin 25 nanometrin DRAM-prosessissa. Sen myötä on mahdollista valmistaa esimerkiksi 32 gigatavun RDIMM-kampoja, joille löytyy käyttöä vaikkapa palvelinkoneissa.
Tiheän DDR3-muistin kehittäminen on perusteltua, koska DDR4-muistit ovat yleistyneet edelleen varsin hitaasti piirien kalliimman hinnan takia. 8-gigabittisillä siruilla DDR3-moduulit saadaan valmistettua aiempaa kustannustehokkaammin.
Uuden muistin käyttöä rajoittaa erityisesti pöytäkoneissa se, että Intelin suorittimien BIOS-ohjelmisto tukee vain neljän gigabitin DDR3-piirejä.