Suomalainen SAR-satelliittiyhtiö ICEYE on kuvannut koko Suomen ja Venäjän välisen rajan avaruudesta. Noin 1343 kilometrin pituinen itäraja tallennettiin tutkakuviksi kymmenessä päivässä.
Operaation aikana ICEYEn satelliitit tekivät 17 ylilentoa ja keräsivät yhteensä 268 synteettisen apertuurin tutkan (SAR) kuvaa. Yhtiö käyttää esimerkkiä havainnollistaakseen muutosta satelliittipohjaisessa tiedustelussa: yksittäisistä kuvista siirrytään yhä enemmän monikohdekuvaukseen, jota ICEYE kutsuu nimellä agile collection.
Teknisesti muutos perustuu yhtiön käyttämään Multi-Spot-kuvausmenetelmään, jossa yhdistyvät mekaaninen ja elektroninen säteen ohjaus. Satelliitin antenni pyörii tasaisella nopeudella, mutta samalla tutkasäteen suuntaa säädetään elektronisesti niin, että se pysyy lukittuna kuvattavaan kohteeseen.
Yhdistelmä mahdollistaa erittäin nopeat siirtymät kuvauskohteesta toiseen. Tutka voi ICEYEn mukaan aloittaa kohteen kuvaamisen jo ennen kuin antenni osoittaa tarkasti siihen ja siirtyä seuraavaan kuvauspisteeseen lähes välittömästi – tyypillisesti noin 50 mikrosekunnissa, kuten ICEYE kertoo LinkedIn-postauksessaan.
Tämän ansiosta satelliitti ei ole enää sidottu yhteen suoraan kuvauslinjaan, vaan samassa ylilennossa voidaan kuvata useita erillisiä kohteita. ICEYEn mukaan yhdellä ylilennolla voidaan kerätä jopa 15 erillistä kuvaa eri kohteista.
Monikohdekuvaus on keskeinen osa yhtiön Tactical Access -palvelua, jossa asiakkaat voivat varata satelliittikapasiteettia tietylle alueelle ja määrittää kuvattavat kohteet vielä viime hetkellä. Kohteita voidaan muuttaa jopa kaksi tuntia ennen satelliitin ylilentoa.
SAR-tutkan etuna on, että kuvaus toimii säästä ja valaistuksesta riippumatta, myös pilvien läpi ja pimeässä. Siksi teknologiaa käytetään yhä laajemmin sekä siviilikartoituksessa että puolustus- ja tiedustelutehtävissä.
Seitsemännen sukupolven IGBT-teknologia nostaa tehomoduulien suorituskykyä usealla rintamalla. IGBT7 pienentää häviöitä, kasvattaa virtakapasiteettia ja kestää ylikuormituksessa jopa 175 asteen liitoslämpötilan. Yhdessä matalainduktanssisten koteloiden kanssa tämä mahdollistaa aiempaa suuremman tehotiheyden, paremman hyötysuhteen ja pienemmät järjestelmäkustannukset.
