Micron esitteli kuukausi sitten maailman ensimmäisen 16 nanometrin prosessissa valmistetun nand-tyyppisen flash-muistin. Nyt tekniikka on palkittu Piilaakson Flash Memory Summitissa tapahtuman parhaana tekniikkana.
Micronin tekniikan avulla voidaan pakata maailman tihein 128 gigabitin flash-muistipiiri. Piiriä tullaan käyttämään usb-muisteissa ja esimerkiksi älypuhelimista tutuilla flash-korteilla.
Aina kun sirujen viivanleveydessä mennään uusiin lukemiin, voidaan transistoreja pakata yhä tiukempaan. Micronin uusi flash-prosessi tarkoittaa, että yhdeltä kiekolta saadaan valmistettua muistipiirejä kuuden teratavun tallennuskapasiteettia varten.
Micron valmistaa jo nyt näytepiirejä uusista 16 nanometrin piireistä avainasiakkailleen. Täyteen volyymituotantoon yhtiö arvioi pääsevänsä jo vuoden viimeisen neljänneksen aikana.
Yhtiö suunnittelee myös täysin uutta ssd-kiintolevyjen tuoteperhettä, joka perustuu uuteen muistipiiriin. Sen yhtiö aikoo tuoda markkinoille ensi vuoden aikana.