Samsung sanoo aloittaneensa massvalmistuksen DDR4-määrityksiä tukevassa palvelinmuisteissa. Moduulit pohjaavat yhtiön suorituskykyisimpään neljän gigabitin piiriin, joka valmistetaan alle 30 nanometrin cmos-prosessissa.
Siruista kootaan 16 ja 32 gigatavun moduuleja. DDR4-muistit siirtävät dataa 2,667 gigabitin sekuntivauhtia, mikä on neljänneksen aiempia DDR3-muisteja nopeammin.
Samsung ei enää kerro tarkasti piiriensä valmistusprosessia, vaan puhuu ”20 nanometrin luokasta”. Analyytikkojen mukaan DDR4-piirit valmistetaan 28 nanometrin prosessissa ja pikavauhtia Samsung on siirtymässä valmistuksessa 25 nanometriin.
Uutuuden käyttökohteet löytyvät datakeskusten palvelimista.