Kun koneessa vaaditaan erittäin tehokasta laskentaa, Intelin Xeon Phi -prosessorin kylkeen pakataan hybridimuistikuutio HMC: Se käyttäytyy periaatteessa kuin sirulle integroitu, erittäin nopea L3-tason välimuisti. Nyt muistikuutiosta on tulossa tarjolle jo kolmannen polven kehitysversio.
Hybridimuistikuution ensimmäinen standardi julkistettiin toukokuussa 2013. Itse konsortion perustivat Altera, Micron, Open-Silicon, Samsung ja Xilinx lokakuussa 2011. Kuutiossa on kyse muistista, jossa DRAM-piirit pinotaan päällekkäin samaan koteloon. Liitännät sirujen välillä tehdään TSV-läpiviennein. Etuna on se, että polut muistin osista toiseen ovat hyvin lyhyitä, mikä nopeuttaa datanhakua.
Ensimmäisen polven muistikuutio siirsi dataa 15 gigabittiä sekunnissa ja toinen polvi kaksinkertaisti vauhdin. DDR4-muisteihin verrattuna kaistanleveys on viisinkertainen, DDR3-piireihin verrattuna 15-kertainen.
Ennakkotietojen mukaan ensi vuonna muistikuution kaistanleveys kasvaa 45-100 gigabittiin sekunnissa. Samalla muistin kapasiteetti kasvaa ainakin kaksinkertaiseksi: tällä hetkellä yhdessä kuutiossa on neljä DRAM-piiriä ja yksi ASIC-tyyppinen muistiohjain.
TILAA UUTISKIRJE JA VOITA DELL XPS 13 -KANNETTAVA
Tilaa Elektroniikkalehden uutiskirje ja osallistu samalla arvontaan, jossa voit voittaa Dellin huippulaadukkaan kannettavan XPS 13 -tietokoneen. Kampanja jatkuu Teknologia15-messujen päätöspäivään eli 8.10.2015 asti, jolloin voittaja on selvillä.
Tilaaminen onnistuu tästä.


















Generatiivinen tekoäly on muuttanut tietojenkalastelun luonteen. Check Point Researchin mukaan hyökkäykset eivät enää rajoitu sähköposteihin, vaan voivat tapahtua reaaliaikaisina videopuheluina, joissa huijari esiintyy deepfake-teknologian avulla yrityksen johtajana. Joissakin tapauksissa tällaiset huijaukset ovat johtaneet kymmenien miljoonien dollarien tilisiirtoihin.
ETN:n digitaalinen aikakauslehti ETNdigi 1/2026 on julkaistu. Uusi numero kokoaa yhteen elektroniikka-alan keskeisiä teknologiateemoja kvanttilaskennasta ja tekoälystä energiatehokkaaseen tehoelektroniikkaan, IoT-järjestelmiin ja ajoneuvojen latausinfrastruktuuriin.
