Kolmiulotteisuudesta näyttää tuevan nopeasti flash-muistitekniikan pelastaja. Tutkimuslaitos iSuppli arvioi, että vuonna 2015 jo lähes kolmasosa kaikista nand-piireistä perustuisi 3d-rakenteeseen.
Tarve 3d:lle tulee siitä, että nand-piirien skaalaaminen pienempään viivanleveyteen on yhä vaikeampaa. Bittejä pitäisi ahtaa koko ajan tiiviimpään, mutta kun rakenteista tulee liian pieniä, varausten erojen tuottaminen ja havaitseminen hankaloittuu. Arvioiden mukaan 10 nanometrissä nand-siruista tulee epäkäytännöllisiä ja sen alla mahdottomia.
3d-rakenteet, joissa useita siruja pinotaan päällekkäin, ovat oiva vastaus tarpeeseen saada tiiviimpiä muisteja. Tänä vuonna vain yksi prosenttia piireistä pohjaa 3d-rakenteeseen, mutta vuonna 2016 osuus on jo puolet.
Flash-valmistajien kannalta 3d-rakenne on erittäin hyvä innovaatio, sillä se on erittäin kustannustehokas tapa kasvattaa piirien tiheyttä. Piirejä voidaan valmistaa samoilla tuotantolaitteilla kuin aiempi 2d-rakenne.
Valmistajista Samsung ja Hynix esittelivät omat 3d-flashinsa elokuussa Piilaakson Flash Memory Summitissa. Muista valmistajista Toshiba on esitellyt omaa 3d-roadmappiaan, mutta Sandisk ja Micron eivät vielä ole paljastaneet 3d-korttejaan. Niillä ei kuitenkaan ole varaa jäädä jälkeen kehityksessä.
Virtaamamittaus on monissa laitteissa kriittinen mutta usein ongelmallinen toiminto. Perinteiset mekaaniset anturit kuluvat ja jäävät sokeiksi pienille virtausnopeuksille. Ultraäänitekniikkaan perustuvat valmiit moduulit tarjoavat nyt tarkan, huoltovapaan ja helposti integroitavan vaihtoehdon niin kuluttaja- kuin teollisuussovelluksiin.