MRAM-muisteissa materiaalin ominaisuus, joka tunnetaan magneettisena vaimennuksena, on tärkeä optimoitaessa kytkentäaikaa. Vaimennus on heikennys magneettikentän voimakkuudessa kun kenttä tunkeutuu syvemmälle materiaaliin. Singaporelaistutkijat ovat osoittaneet, että kytkentäaika lyhenee kun vaimennusvakiota kasvatetaan.
DSI-tutkimuslaitoksen (A*STAR Data Storage Institute) tutkijat ovat mikromagneettisien simulaatioiden avulla tutkineet sähkökenttäavusteista magnetoinnin kytkentää magneettisissa RAM-muisteissa.
MRAM tallentaa dataa magnetoinnin suuntaan ferromagneettisella kalvolla. Magnetoinnin suunnan ja siten binaarisen tilan vaihto voidaan saavuttaa käyttämällä magneettikenttää, mutta tämä vaatii nykyään paljon tehoa.
DSI:n tutkijat tunnistivat ihanteellisia materiaaliominaisuuksia, joita tarvitaan minimoimaan vaihtoaikaa. Luotettava magneettinen kytkentä voi tapahtua viidessä nanosekunnissa sähkökentän avustamalla kytkennällä ja ilman mitään muuta ulkoista käyttövoimaa.
Sähkökentällä avustettu kytkentä toimii, koska kohdistettu sähkövirta muuttaa ferromagneettisen materiaalin magneettisia ominaisuuksia, joten se on alttiimpi magnetoinnin muutokselle. Pieni magneettikenttä, joka liittyy virtaan ja tunnetaan Oersted-kenttänä, on sitten riittävä vaihtamaan magnetointia.
Kun valitaan ferromagneettinen materiaali, jolla on paras vaimennusvakio, sähkökenttäavusteisen magneettisen hajasaantimuistin kytkentäaika voi olla jopa kolme nanosekuntia.
Veijo Hänninen
Nanobittejä 21.4.2017