ROHM on kehittänyt uuden pintaliitoskotelon SiC-MOSFETeille. TSC3PAK-kotelossa lämpö johdetaan komponentin yläpinnan kautta, mikä tuo pintaliitoskomponenttiin läpiladottavien TO-247-tehopiirien kaltaista lämmönhallintaa.
Piikarbiditehopiirien käyttö laajenee sähköautoissa pääinverttereistä myös muihin tehomuunninpiireihin. Niitä käytetään esimerkiksi ajoneuvojen sisäisissä latureissa ja sähkökompressoreissa. Samaa kehitystä nähdään myös palvelinteholähteissä ja aurinkosähköinverttereissä, joissa hyötysuhteella on suuri merkitys.
Tehokkaat SiC-komponentit on perinteisesti pakattu läpiladottaviin koteloihin, kuten TO-247-rakenteisiin. Niiden etuna on hyvä lämmönpoisto, mutta ne vaativat enemmän tilaa ja niiden ladonta on hankalampaa automatisoida.
ROHMin uusi TSC3PAK on pintaliitoskotelo, jonka koko on 14,00 × 18,58 × 3,50 millimetriä. Yläpuolisen jäähdytysrakenteen ansiosta komponentti voidaan asentaa automaattisesti, mutta ROHMin mukaan lämmönpoisto vastaa perinteistä TO-247-4L-koteloa.
Uutuuden toinen keskeinen piirre on eristys. ROHM on lisännyt koteloon oman urarakenteensa, jolla pintaväliksi saadaan 6,66 millimetriä. Tämä riittää yhtiön mukaan 1200 voltin AC-huippujännitteelle Pollution Degree 2 -ympäristössä.
TSC3PAK-koteloon pakatut tuotteet käyttävät ROHMin neljännen sukupolven SiC-MOSFET-rakennetta. Sen luvataan tarjoavan pienen johtavan tilan resistanssin ja nopean kytkennän, mikä pienentää tehomuunnoksen kytkentähäviöitä.
ROHM aloitti uuden kotelon massatuotannon kesäkuussa 2026. Yhtiö tarjoaa uusille komponenteille myös simulointimallit, jotta suunnittelijat voivat arvioida niiden toimintaa omissa tehomuunninratkaisuissaan.
Tekoäly, kehittyneet yhteydet ja tietoturva muuttavat sulautettujen järjestelmien arkkitehtuureja. Laskentateho kasvaa nopeasti samaan aikaan, kun laitteiden fyysinen koko pienenee. Tietoturva, datan hallinta ja uudet säädökset lisäävät vaatimuksia niin yhteyksille kuin suunnittelullekin. Samalla laitevalmistajat pyrkivät nopeuttamaan tuotekehitys- ja testaussyklejään.