Penn State yliopiston materiaalitutkijat raportoivat keksinnöstä, joka tarjoaa yksinkertaisen ja tehokkaan tavan "sapluunoida" laadukkaita 2D-materiaaleja tarkasti haluttuihin paikkoihin ja voittaa yksi este niiden käytölle seuraavan sukupolven elektroniikassa. - Olemme keskittyneet tässä tutkimuksessa siihen, miten voidaan kasvattaa näitä materiaaleja laajoille alustan alueille täsmälleen paikkoihin, joihin niitä haluamme, toteaa Penn Staten materiaalitieteiden laitoksen apuliasprofessori Joshua Robinson.
- Nämä materiaalit ovat kiinnostavia seuraavan sukupolven elektroniikalle. Ne eivät välttämättä korvaa piitä, mutta laajentavat nykyistä teknologiaa ja lopulta tuovat piille uusia piiritoimintoja, jollaisia meillä ei koskaan ennen ole ollut.
Jotta voitaisiin yhdistää transistoreissa siirtymämetallien dikalkogeniineja (TMD) piin kanssa, siruvalmistajilla täytyy olla tekniikka sijoittaa atomeja juuri sinne, missä niitä tarvitaan. Tällaista menetelmää ei ole ollut saatavilla kuin vasta nyt.
Tutkijoiden tutkimusjulkaisussa "Selective-area Growth and Controlled Substrate Coupling of Transition Metal Dichalcogenides" Robinson ja hänen ryhmänsä osoittavat ensimmäistä kertaa yksinkertaisen menetelmän tehdä tarkkoja malleja kaksiulotteisia materiaaleja käyttäen tekniikoita, jotka ovat tuttuja kaikille nanotekniikan laboratoriolle.
Tutkijoiden mukaan prosessi on varsin suoraviivainen. Fotoresisti voidaan tehdä mistä tahansa polymeereistä, joita käytetään nanoteknologiassa. Sitten halutut alueet polymeeriä altistetaan ultraviolettivalolle ja valotetut alueet peseytyvät pois. Tarkempi puhdistus tapahtuu standardilla plasmaetsauksella ja 2D-materiaalit kasvavat vain alueilla, jotka on puhdistettu.
Veijo Hänninen
Nanobittejä 8.5.2017