Singaporen kansallisen yliopiston (NUS) tutkijoiden johtama kansainvälinen tutkijaryhmä on kehittänyt uudenlaisen orgaanisen ohutkalvon, joka voi mullistaa tallentamisen. Kalvo tukee muistikäytössä miljoona kertaa enemmän luku-kirjoitusjaksoja ja kuluttaa tuhat kertaa vähemmän virtaa kuin kaupalliset flash-muistit.
Uusi orgaaninen kalvo voi tallentaa ja käsitellä tietoja miljardi sykliä ja sillä on potentiaalia olla alle 25 neliönanometrin kokoinen.
- Keksinnön uudet ominaisuudet avaavat uuden kentän joustavien ja kevyiden laitteiden suunnitteluun ja kehittämiseen, toteaa hankkeen koordinaattori, professori T Venky Venkatesan.
Tietotekniikassa on vuosien ajan etsitty muistitekniikoita, joilla on parempi energiatehokkuus ja kestävyys sekä alhaisemmat kustannukset kuin kaupallisilla flash-muisteilla.
Teollisuus on perinteisesti pidättäytynyt käyttämästä orgaanisia järjestelmiä muisteissa johtuen niiden suorituskyvyn tekniikan rajoituksista. Nyt tutkijoiden mukaan on kehitetty orgaaninen rakenne, joka on teollisesti kilpailukykyinen, mutta samalla on kehittynyt selkeä kuvan sen molekyylimekanismista.
Kehitetty liuosprosessoitava resistiivinen muistiratkaisu perustuu siirtymämetallikompleksin spin-pinnoitettuun aktiiviseen kerrokseen. Sen ominaisuus sopivat hyvin kaupalliseen käyttöön: rakenne on helposti toistettava, kytkentä on nopeaa ja lisäksi rakenne on stabiili ja skaalautuva.
Tutkimusryhmä aikoo kumppaniksi kulutuselektroniikkayrityksen kanssa kaupallistaakseen uutta teknologiaa. Lisäksi tutkijat tarkastelevat myös monitilaisten muistien kehittämistä neuromorfiseksi muistiksi. Käytännössä tämä tarkoittaisi memristorin kehittämistä tekoälyn (AI) sovelluksiin, joka on yksi tämän hetken nopeimmin kasvavista teknologia-aloista.
Veijo Hänninen
Nanobittejä 27.10.2017