Japanilainen Renesas on esitellyt San Fransiscossa järjestetyssä piiritekniikan IEDM-konferenssissa uuden flash-prosessin, joka nostaa mikro-ohjainpiirien suoritusykyvyn aivan uudelle tasolle. Yhtiö sanoo uudella SG-MONOS-rakenteellaan pystyvänsä valmistamaan ohjaimia, joille on integroitu jopa sata megatavua muistia.
Tällä hetkellä flash-pohjaisia mikro-ohjaisia valmistetaan tyypillisesti 40 nanometrin prosessissa. Myös joitakin 28 nanometrin prosessoreita on tullut tarjolle. Renesasin SG-SONOS-prosessi kutistaa piirien viivanleveyden 14-16 nanometriin ja sitäkin pienemmäksi.
SG-MONOS-rakenteen (split-gate metal-oxide nitride oxide silicon) Renesas esitteli IEDM:ssä jo vuosi sitten. Kyse on ensimmäisestä tekniikasta, jossa mikro-ohjaimissa käytetään fin-tyyppisiä transistoreja.
SG-MONOS-muistissa data tallennetaan ohutkalvoon, joka muodostetaan piialustan päälle. Tämän ansiosta rakenne on suhteellisen helppo toteuttaa 3D-muodossa, mikä mahdollistaa kapasiteetin kasvattamisen. Lisäksi arkkitehtuuri on hyvin pitkälle yhteensopiva nykyisten fin-tyyppisten logiikkaprosessien kanssa, Renesas kertoo.
SG-MONOS-muistin kehittäminen on ollut pitkä urakka. IEDM:ssä yhtiö kertoi, että muistit pitävät nyt datansa vähintään 10 vuotta 160 asteen lämpötilassa. Markkinoille tulevat 14/16 nanometrin mikro-ohjaimet ovat yhtiön mukaan tuossa vuoden 2023 aikana. Sovelluskohteet löytyvät autoelektroniikasta ja IoT-laitteista.