Purduen ja Iowan yliopiston tutkijat ovat löytäneet useita haavoittuvuuksia neljännen polven LTE-verkoissa. Niiden avulla voidaan esimerkiksi pakottaa päätelaite ilmoittamaan tietty sijainti verkossa sekä luomaan viestejä.
Tutkijat kuvaavat artikkelissaan kaikkiaan kymmenen uutta ja yhdeksän aiemmin löydettyä LTE-haavoittuvuutta. Yksi niistä esimerkiksi sallii hyökkääjän liittyä runkoverkkoon ilman tarvittavia tunnuksia. Tämän ansiosta hyökkääjä voi tekeytyä verkossa joksikin toiseksi ja esimerkiksi väärentää tämän päätelaitteen sijainnin verkossa.
Tutkijoiden mukaan haavoittuvuudet liittyvät kolmeen keskeiseen LTE-protokollan proseduuriin eli käytäntöön: attach, detach ja paging. Ensimmäinen kuvaa metodia, jolla päätelaite liittyy LTE-verkkoon. Detach viittaa proseduuriin, jossa päätelaite irtautuu verkosta kokonaan. Paging puolestaan kuvaa verkon tapaa ”mainostaa” palvelujaan ja pitää kirjaa verkkoon liittyneistä päätelaitteista.
Amerikkalaistutkijat käyttivät LTEInspector-nimistä työkalua haavoittuvuuksien paljastamiseen. Työkalussa on yhdistetty symbolisen mallintarkistuksen ja protokollan verifioinnin työkalut. Tutkijoiden mukaan työkalu on ensimmäinen systemaattinen ohjelmisto, jolla päätelaitteen ja LTE-verkon välisiä käytäntöjä voidaan tutkia.
Tutkijat todensivat kahdeksan löydetyistä kymmenestä uudesta haavoittuvuudesta testaamalla. Heidän mukaansa haavoittuvuuksia on vaikea korjata. Tietoturvan lisääminen valmiiseen järjestelmään niin, ettei samalla rikota taaksepäin yhteensopivuutta ei yleensä johda kestäviin ratkaisuihin.
Ratkaisujen kehittäminen on sekä verkko- että päätelaitevalmistajien yhteinen tehtävä, tutkijat sanovat.
Saksalaislähtöinen Ubitium on kehittänyt innovatiivisen prosessoriarkkitehtuurin, joka yhdistää eri suorittimien (CPU, GPU, DSP, FPGA) toiminnot yhteen siruun. Yrityksen mukaan tämä uusi RISC-V-arkkitehtuuriin perustuva ratkaisu mullistaa yli 50 vuotta vanhan suorittimien suunnittelun.
Moni uusi sähköauton omistaja kokee toimintasädeahdistusta. Tätä ongelmaa autonvalmistajat voivat helpottaa siirtymällä piipohjaista IGBT-piireissä piikarbidiopohjaisiin siruihin. auton vetoinvertterissä.
