Nürnbergissä on käynnissä tehoelektroniikan PCIM-messut ja sieltä tulee nyt jatkuvalla syötöllä tuotejulkistuksia. Yksi merkittävimmistä uutisista tuli saksalaiselta Infineonilta, joka kertoi ryhtyvänsä valmistamaan volyymeissä CoolGaN-komponentteja vuoden loppuun mennessä.
Piipohjainen tehoelektroniikka on monella tapaa jo tullut tiensä päähän. Sen tilalle on haettu ns. laajan kaistaeron (wide bandgap) materiaaleja. Näistä piikarbidi on jo päässyt vankkaan kaupallistamisen vauhtiin, mutta galliumnitridi on osoittautunut hankalaksi valmistaa.
Infineonin mukaan ongelmat ovat nyt takanapäin ja GaN-piirien monia etuja voidaan hyödyntää kaupallisissa tehoelektroniikan tuotteissa. Näihin etuihin kuuluvat korkeampi tehotiheys, selvästi parempi hyötysuhde ja alentuneet järjestelmäkustannukset.
PCMI-messuilla Infineon esittelee CoolGaN-tuoteperheen komponentteja eri sovelluksiin. Näytepiirejä se sanoo toimittavansa asiakkailleen jo nyt. Yhtiön mukaan sen GaN-piirien ominaisuudet ylittävät tähän asti demotut GaN-piirit.
Infineon lupaa CoolGaN-sarjan piirien eliniäksi 55 vuotta, mikä on 40 vuotta vaadittua enemmän. Piireillä voidaan tuottaa kaksinkertainen lähtöteho samassa koossa kuin piipohjaisissa tuotteissa, mikä säästää arvokasta tilaa teholähteissä.
Tuotantoon menevät ensimmäiseksi 400 ja 600 voltin HMET-piirit.
Saksalaislähtöinen Ubitium on kehittänyt innovatiivisen prosessoriarkkitehtuurin, joka yhdistää eri suorittimien (CPU, GPU, DSP, FPGA) toiminnot yhteen siruun. Yrityksen mukaan tämä uusi RISC-V-arkkitehtuuriin perustuva ratkaisu mullistaa yli 50 vuotta vanhan suorittimien suunnittelun.
Moni uusi sähköauton omistaja kokee toimintasädeahdistusta. Tätä ongelmaa autonvalmistajat voivat helpottaa siirtymällä piipohjaista IGBT-piireissä piikarbidiopohjaisiin siruihin. auton vetoinvertterissä.
