Samsung sanoo aloittaneensa viidennen sukupolven V-NAND-piiriensä volyymituotannon. Siruilla käytetään ensimmäistä kertaa uutta liitäntää, jonka myötä ne ovat samalla selvästi nopeimmat flash-piirit.
256 gigabitin uutuuspiirit on toteutettu uusimmassa 96 metalloinnin valmistusprosessissa. Sen myötä datan lukunopeus on kasvanut 40 prosenttia aiempaa ennätystä nopeammaksi.
Uutta Toggle DDR 4.0 -liitäntää pitkin data liikkuu nyt parhaimmillaan 1,4 gigabitin sekuntinopeudella. Silti piirien energiatehokkuus on onnistuttu pitämään aiemman, 64 metallointikerroksen piirin tasolla. Tämä onnistui pudottamalla käyttöjännite 1,8 voltista 1,2 volttiin.
Uusi väylä on erittäin nopea. Datan kirjoitus onnistuu 500 mikrosekunnin nopeudella. Lukusignaalin vaste on lyhentynyt 50 mikrosekuntiin. Käyttäjän kannalta lukemat kääntyvät erittäin nopeaan datan kirjoitukseen ja lukuun.
Yhdellä 256 gigabitin piirillä on yli 90 kerroksessa yli 85 miljardia CFT-solua, joihin jokaiseen voidaan tallentaa kolme bittiä dataa. Samung kertoo parantaneensa ALD- eli atomikerroskasvatusprosessiaan niin, että valmistuksen tuottavuus on parantunut liki kolmanneksella. Sen tuloksena jokaisen solun korkeudesta on onnistuttu leikkaamaan 20 prosenttia, solujen välinen läpikuuluminen voidaan estää ja datan prosessointi tehostuu.
Saksalaislähtöinen Ubitium on kehittänyt innovatiivisen prosessoriarkkitehtuurin, joka yhdistää eri suorittimien (CPU, GPU, DSP, FPGA) toiminnot yhteen siruun. Yrityksen mukaan tämä uusi RISC-V-arkkitehtuuriin perustuva ratkaisu mullistaa yli 50 vuotta vanhan suorittimien suunnittelun.
Moni uusi sähköauton omistaja kokee toimintasädeahdistusta. Tätä ongelmaa autonvalmistajat voivat helpottaa siirtymällä piipohjaista IGBT-piireissä piikarbidiopohjaisiin siruihin. auton vetoinvertterissä.
