Sveitsiläisen EPFL:n tutkijat ovat kehittäneet transistorin, joka perustuu huoneenämmössä toimiviin eksitoneihin. Läpimurto voi johtaa uuden sukupolven nopeampaan, energiatehokkaampaan ja pienempään elektroniikkaan.
Eksitonit ovat kvasipartikkeleita, jotka koostuvat elektronista ja sen aukosta. Ne sitoutuvat yhteen, kun elektroni absorboi fotonin ja saavuttaa korkeamman energiatason ja "virittynyt" elektroni jättää jälkeensä aukon edelliseen energiatasoon.
Koska elektroni on negatiivisesti ja aukko on positiivisesti varattu, nämä kaksi hiukkasta sitoutuvat toisiinsa sähköstaattisella voimalla. Kun elektroni lopulta putoaa aukkoon, se emittoi fotonin ja silloin eksitoni lakkaa olemasta.
Tätä ennen eksitonia voitiin manipuloida vain erittäin kylmissä olosuhteissa mutta nyt tutkijat käyttivät kahta 2D-materiaalia puolijohteina. Käytetyissä molybdeeni-disulfidissa (MoS2) ja wolframi-diseleenissä (WSe2) eksitoneilla on erityisen vahva sähköstaattinen sidos.
Lisäksi eksitonien elinikää saatiin pidennettyä hyödyntämällä sitä, että elektronit aina löytävät tiensä MoS2:een kun taas aukot päätyvät aina WSe2:een. Ja yhdessä kahden japanilaisen tutkijan kanssa tutkijat saivat eksitonien kestävän vieläkin pidempään suojelemalla puolijohdekerroksia boorinitridillä (BN).
Tutkijat kertovat luoneensa erikoistyyppisen eksitonin, jossa molemmat puolet ovat kauempana toisistaan kuin perinteisessä hiukkasessa. Tämä viivästyttää prosessia, jossa elektroni palaa aukkoon ja fotoni syntyy. Kun eksitonit pysyvät dipolimuodossa hieman pidempään, niitä voidaan ohjata ja liikuttaa sähkökentän avulla.
Työllään tutkijat luovat lukuisia vaikutuksia eksitoniikan alalle, joka on yksi lupaavimmista uusista tutkimusalueista fotoniikan ja spintroniikan rinnalla.
Tämä läpimurto avaa tietä optoelektronisille laitteille, jotka kuluttavat vähemmän energiaa ja ovat sekä pienempiä että nopeampia kuin nykyiset laitteet. Lisäksi se mahdollistaa optisen siirtojärjestelmän ja sähköisen datankäsittelyjärjestelmän integroinnin samaan piirirakenteeseen mikä vähentää tarvittavien operaatioiden määrää ja tehostaa järjestelmien tehokkuutta.
Veijo Hänninen
Nanobittejä 8.8.2018
Analog Devices päätti jokin aika sitten lopettaa yhteistyön englantilaisen jakelijan Anglia Componentsin kanssa. Tässä ei ole sinänsä mitään ihmeellistä, mutta Anglia suivaantui tästä niin paljon, että tuli julkisuuteen asian kanssa. Toimitusjohtaja Steve Rawlinsin mukaan ADI:n päätös rajoittaa asiakkaiden valinnanvaraa.
Murata on julkistanut maailman ensimmäisen yhteysmoduulin, joka tukee uutta SGP.32 Remote SIM Provisioning (RSP) -spesifikaatiota osana integroitua SIM-teknologiaa (iSIM). Tämä uusi ratkaisu pohjautuu Muratan innovatiiviseen Type 2GD Cat.M1/NB-IoT -yhteysmoduuliin, joka tukee ETSI/3GPP Release 17 -standardia, sekä Giesecke+Devrientin (G+D) korkeasti suojattuun SGP.32-yhteensopivaan SIM-käyttöjärjestelmään.
Tulevaisuuden autot nojaavat yhä tiukemmin nopeaan datansiirtoon. Tämän dataväylän pitää perustua standardiin. Sellainen on PCIe-väylä, kertoo Microchip.