Samsung on ryhtynyt valmistamaan volyymeissä ensimmäistä 12 gigatavun LPDDR4-moduuliaan älypuhelimiin. Uuden polven RAM-muisti kasvattaa samalla huippuälypuhelinten keskusmuistin kapasiteetin suuremmaksi kuin perusläppäreissä.
Kännykkämuistien kehitys on ollut viime vuosina erittäin nopeaa. Vuonna 2009 suurin kännykkämuisti oli 256 megatavun DDR-siru, jolta dataa voitiin lukea 400 megabittiä sekunnissa. Seuraavana vuonna kapasiteetti kasvoi 512 megatavuun, mutta väylän nopeus pysyi ennallaan.
Vuonna 2011 kännykkämuisteissa rikottiin gigatavun raja ja uuden LPDDR2-tekniikan ansiosta dataluku nopeutui 1066 megabittiin sekunnissa. Kesällä 2013 oli vuorossa jo kolmen gigatavun piiri ja LPDDR3-väylän myötä nopeus kasvoi 2166 megabittiin sekunnissa.
Vuonna 2015 markkinoille saatiin ensimmäiset kuuden gigatavun RAM-muistit ja silloin käytössä oli jo LPDDR4-tekniikka, jolladatanluku onnistuu 4266 megabitin sekuntinopeudella. Reilun kolmen vuoden aikana kapasiteetti on nyt kaksinkertaistunut 12 gigatavuun, mutta seuraavan polven LPDDR5-tekniika on vasta ehtinyt testipiireihin.
Samsungin uusin LPDDR4-piiri on toteutettu yhdistämällä samaan koteloon kuusi 16 gigabitin sirua. Kotelon on silti vain 1,1 milliä paksu, joten se ei rajoita laitesuunnittelua.
LPDDR4-tekniikan ansiosta prosessori voi lukea dataa muistilta 34,1 gigatavun sekuntinopeudella. Samsung ei totuttuun tapaa kerro valmistusprosessin viivanleveyttä tarkasti vaan puhuu 10nm-luokasta, mikä tarkoittaa prosessia 10 ja 20 nanometrin välillä.
Saksalaislähtöinen Ubitium on kehittänyt innovatiivisen prosessoriarkkitehtuurin, joka yhdistää eri suorittimien (CPU, GPU, DSP, FPGA) toiminnot yhteen siruun. Yrityksen mukaan tämä uusi RISC-V-arkkitehtuuriin perustuva ratkaisu mullistaa yli 50 vuotta vanhan suorittimien suunnittelun.
Moni uusi sähköauton omistaja kokee toimintasädeahdistusta. Tätä ongelmaa autonvalmistajat voivat helpottaa siirtymällä piipohjaista IGBT-piireissä piikarbidiopohjaisiin siruihin. auton vetoinvertterissä.
