Samsung on aloittanut volyymituotannon 256 gigatavun SSD-levyissä, jotka perustuvat yhtiön kuudennen sukupolven V-NAND-arkkitehtuuriin. Piireillä on metallointeja yli sadassa kerroksessa.
Kehitys Samsungin V-NAND-arkkitehtuurissa on ollut nopeaa. Ensimmäisen polven V-NAND-piirit Samsung esitteli heinäkuussa 2013 ja tuolloin siruilla käytettiin 24 metallointikerroksen rakennetta. Vuotta myöhemmin kerrosten määrä kasvoi 32:een, vaikka piirien tiheys oli edelleen 128 gigabittiä.
Kolmannessa polvessa elokuussa 2015 kerroksia oli 48 ja piirillä tiheyttä 256 gigabittiä. Vuoden 2016 lopulla siirryttiin neljännen polven myötä 64 kerrokseen. Sen avulla esiteltiin alkuvuodesta 2017 30,72 teratavun SAS-väyläinen SSD-levy.
Toukokuussa 2018 Samsung esitteli viidennen polven V-NAND-piirit. Niiden kohdalla puhuttiin enää 9x metallointikerroksesta. Samsungillahan on valmistusprosessienkin yhteydessä siirrytty hieman epämääräiseen ilmoituskäytäntöön, jossa tarkkaa viivanleveyttä ei paljasteta.
Siispä kuudennen polven V-NAND-piireillä metallointeja on 1xx kerrosta. Kolmiulotteisiin soluihin tallennetaan edelleen kolme bittiä ja yhdelle sirulle niitä sopii 256 miljardia. Uusilla piireillä tuodaan vielä tämän vuoden aikana markkinoille myös suurempia SSD-levyjä. Todennäköisesti siis ainakin 512 gigatavun ja ehkä jopa teratavun levyjä.