DRAM-muistien väylä on pitkään ollut niiden pullonkaula ja asiaa korjatakseen on kehitetty uutta HBM-tekniikkaa (high bandwidth memory). Nyt SK Hynix on julkistanut uutta HBM2E-tekniikkaa tukevan muistin. Se on maailman nopein.
HBM2E on JEDECin standardoima HBM-väylän evoluutioversio. Samsung on julkistanut omat HBM2E-muistinsa, mutta markkinoille niitä ei ole vielä tullut. SK Hynix tähtää kaupallisiin toimituksiin ensi vuonna, joten piirin valmistaminen ei selvästikään ole mikään triviaali tehtävä.
SK Hynixin muisti tukee yhteensä 460 gigatavun kaistanleveyttä. Yhtä nastaa kohti dataa siirtyy 3,6 gigabittiä sekunnissa. Kaistanleveys on 50 prosenttia parempi kuin edeltävässä HBM2-tekniikassa.
HBM2E tukee myös TSV-läpivientejä piireillä, joten yhdelle sirulla saadaan pinottu kahdeksan 16 gigabitin piiriä päällekkäin. Näin päästään 16 gigatavun datakapasiteettiin yhdellä sirulla.
HBM-muistien etu perinteisiin DRAM-muisteihin verrattuna on se, että ne voidaan liittää käytännössä suoraan vaikkapa grafiikkaprosessorin kylkeen. Näin dataa ei tarvitse kuljettaa kortilla perinteisiin korttipaikkaan.