Kuluva vuosi on ollut Huaweille monella tapaa painajaismainen, mutta sen laitteille sataa edelleen kiitosta. Nyt yhtiön P30 Pro -kamerapuhelin on valittu vuoden parhaaksi älypuhelimeksi. Valinnan teki EISA-järjestö, joka koostuu kuluttajaelektroniikan alan johtavasta lehdistöstä.
Huawei otti nyt parhaan älypuhelimen palkinnon toista vuotta peräkkäin. Tuorein palkinto toimitetaan virallisesti Huaweille IFA-messujen aikana EISA:n palkintoseremoniassa Berliinissä syyskuun alussa.
EISA:n arvion mukaan P30 Pron hämäräkuvausominaisuudet ovat parasta mahdollista luokkaa älypuhelimissa. Kehuja saivat myös laitteen kameran ultralaajakulmalinssi, muotokuvaustila ja periskooppirakenteeseen perustuva 5-kertainen zoom.
P 30 Prossa on neljä kameraa: 40 megapikselin laajakuvakenno, 20 megapikselin ultralaajakuvakenno, 8 megapikselin periskooppikamera ja ToF-kamera eli objektien lentoaikaa mittaava anturi. Kaikki neljä kameraa ovat Sonyn valmistamia.
Mielenkiintoisin kennoista on uudenlaisen peilioptiikan perään pystysuorasti piirilevylle istutettu periskooppikenno. Linssin läpi periskooppiin tuleva valo käännetään 45-asteisella peilillä optiikan läpi, joka tuo 5-kertaisen natiivin suurennoksen kuvaan. Kun päälle lisätään optinen kuvanvakautus, päästään 10-kertaiseen häviöttömään suurennokseen.
Huawei käyttää P30 Prossa ToF-anturia uudella tavalla. Objektien etäisyyttä ja liikettä mittaavaa anturia on aiemminkin käytetty AR- eli keinotodellisuussovelluksissa, mutta P30 Prossa ToF-anturi käytetään ensi kertaa kuvan tarkennukseen. Näin esimerkiksi muotokuvissa tekoälyllä päästään ajamaan erilaisia suotimia kuvan taustaan.
Saksalaislähtöinen Ubitium on kehittänyt innovatiivisen prosessoriarkkitehtuurin, joka yhdistää eri suorittimien (CPU, GPU, DSP, FPGA) toiminnot yhteen siruun. Yrityksen mukaan tämä uusi RISC-V-arkkitehtuuriin perustuva ratkaisu mullistaa yli 50 vuotta vanhan suorittimien suunnittelun.
Moni uusi sähköauton omistaja kokee toimintasädeahdistusta. Tätä ongelmaa autonvalmistajat voivat helpottaa siirtymällä piipohjaista IGBT-piireissä piikarbidiopohjaisiin siruihin. auton vetoinvertterissä.
